Русский | English   поискrss RSS-лента

Главная  → Материалы музея с 2013 по 2016 год  → Документы и публикации  → Материалы конференций  → Материалы Международной конференции Sorucom-2014  → Становление микроэлектроники в Новосибирске

Становление микроэлектроники в Новосибирске

Введение

При создании Института математики СО АН СССР были определены три главных научных направления:

В ИМ СО АН на базе Отделения вычислительной техники (ОВТ), начиная с 1960 года, была создана технологическая база, организован большой коллектив физиков, технологов, специалистов в области вычислительной техники преимущественно из молодых ученых (в конце 60-х годов на профсоюзном учете в ОВТ состояло 420 человек). Впоследствии более 20 из них стали известными учеными, докторами наук, руководителями научных подразделений. С 1962 года ОВТ издавало свой журнал – сборник научных трудов Института математики – «Вычислительные системы». Он пользовался в стране большим авторитетом, широко цитировался, по крайней мере, по микроэлектронной тематике, в центральных физических журналах. За время его существования вышло более 170 выпусков, каждый тиражом 700–800 экземпляров. Руководил ОВТ к.т.н. Э.В. Евреинов.

Начало трудовой деятельности в СО АН СССР

Наши исследования в области физики тонких полупроводниковых пленок и микроэлектроники начались после приезда в Академгородок в августе 1960 года. Мы – это группа молодых физиков, выпускников физического факультета Саратовского университета (СГУ), прошедших конкурсный отбор и получивших распределение в Институт математики СО АН. Количество выпускников СГУ, мечтающих работать в Новосибирском Академгородке, значительно превышало число поступивших заявок. В начале 1960 г. в университет приехал представитель Института математики к.ф.-м.н. Л.Я. Савельев, ныне продолжающий успешно работать в ИМ СО РАН, с целью отбора молодых сотрудников. Кроме меня, были приглашены Скок Э.М., Дагман Е.И., Зизин М., Селезнев А.А., Урбанович В.Д. Нашему отъезду в Новосибирск в мае предшествовал дополнительный ознакомительный визит в Саратов к.т.н. В.Л. Дятлова. Он только что был назначен заведующим новой лабораторией ИМ СО РАН (лаборатория новых физических разработок), входившей в состав Отделения вычислительной техники.

К моменту нашего приезда в Академгородок уже были построены Институты гидродинамики и геологии. Другие институты только закладывались, но бетонные дороги уже были проложены и они были практически такими, какими мы видим их и в настоящее время. Первое наше рабочее место – квартиры в доме 32 на Морском проспекте, а жили мы в общежитии на Морском проспекте, 2.

С учетом нашей будущей специализации – создание элементной базы вычислительной техники, мы были направлены на стажировку – работу в сменах по эксплуатации суперЭВМ тех времен – машины М-20. Машина ламповая, 38 разрядная, с быстродействием в 20000 операций в секунду и оперативной памятью на ферритовых кольцах объемом 4096 слов. ЭВМ занимала все правое крыло Института геологии и подвал под ним, где размещалась холодильная установка. Машина работала круглосуточно, обслуживалась сменами инженеров и операторов, которые поддерживали ее постоянную работоспособность. В каждой смене было 5 человек – инженер-«электронщик», два оператора, «холодильщик» и механик. Такая мощная и многоэлементная машина достаточно часто выходила из строя. Дефект определялся с пульта управления (это могли делать только опытные инженеры, одним из них был начальник машины Г. П. Макаров). Затем происходила замена крупного блока (ячейки размером 28×100×250 мм) на новый, а дефектный блок подлежал ремонту в специальной группе ячеек.

После 2-хмесячной работы в таком режиме (включая ночные смены), мы убедили Э.В. Евреинова в том, что основное представление о современной вычислительной технике мы получили. Тогда перед нами и поставили задачу спрогнозировать физические принципы построения будущих мощных вычислительных устройств, перспективы дальнейшего развития вычислительной техники, использование в этой технике новых физических эффектов, создание миниатюрных ЭВМ. Была сформулирована и конечная цель – построение ЭВМ размером с почтовую марку. Такую задачу мы встретили с энтузиазмом – эта было первое для нас научное исследование. Каждый из нас выбрал в качестве основы построения новой элементной базы ЭВМ те физические эффекты, которые он посчитал наиболее перспективными. Э. Дагман взял на себя задачу рассмотреть возможность использования сверхпроводимости, Э.Скок – магнитные явления, М. Зизин – оптические эффекты. Рассматривались также биологические и химические принципы. Я выбрал эффекты в полупроводниках. Через 2 месяца мы представили отчеты, они были написаны от руки. Мой отчет стал пользоваться большим спросом – через три месяца я видел его достаточно «зачитанным», потом он куда-то исчез, говорили – пошел «наверх».

Направление – элементная база для вычислительной техники

После длительных обсуждений, семинаров мы, в итоге, выбрали, как наиболее перспективное, направление создания тонких пленок полупроводников как основу элементной базы будущих вычислительных устройств. Сразу же были куплены 3 установки «Тесла», мы их привезли из УКСа, из микрорайона «Щ», на открытом грузовике, в здание Института геологии, где на 4 этаже (над главным входом) мы первоначально разместились. Запуск установок и получение первых пленок металла для нас не представляло большого труда – сказалась наша хорошая практика в вакуумной лаборатории на физическом факультете Саратовского университета. Запомнилось изготовление первых пленок серебра (как одного из контактов будущих полупроводниковых приборов). Тогда мы еще не отладили систему приобретения материалов, не было отдела снабжения, и поэтому мы были рады, когда Н. Сигорская – новый сотрудник в нашей группе, пожертвовала свое серебряное кольцо, которое было распылено при создании электродов.

После первых технических успехов встал вопрос, на каком приборе (физическом эффекте) мы можем получить логический быстродействующий элемент. Выбор пал на туннельный диод, как элемент, обладающий двумя устойчивыми состояниями. В конечном итоге такие диоды были получены на основе структур титан – окислы титана-серебро, титан – селен-серебро.

Диэлектрические пленки получались методами анодного оксидирования. Этот метод был нами отработан очень хорошо – тонкие пленки (менее 1000 А0) окислов титана, алюминия, циркония, гафния и других из так называемой группы вентильных металлов, получались с высокой электрической прочностью и малыми токами утечки, исключительно однородные по всей поверхности подложки. Это был 1962 год. Учиться этому методу к нам приезжали несколько групп технологов, в том числе из Зеленограда, в котором только начиналось строительство. Я в эти годы многократно бывал в Зеленограде, помню грязь строек и пешеходные перемещения на большие расстояния.

К физико-технологическим работам, проводимым в ИМ СО АН, проявляли постоянный интерес академики В.М. Глушков, С.А. Лебедев, Л.В. Киренский, ряд руководителей космической программы СССР, которые нередко наблюдали на месте за их ходом. За короткий срок, в 1961–1965 гг. в ИМ СО АН были созданы первые отечественные образцы микроэлектроники (тонкопленочные полевые транзисторы, семейство различных диодов, конденсаторов, резисторов), получена первая действующая тонкопленочная микросхема, синтезируемая на одной подложке, радиоприемник. Одним из крупных заказчиков этих работ был п/я 651 – организация, связанная с космическими исследованиями (впоследствии выяснилось, что это ОКБ-1 Сергея Павловича Королева). Для ОКБ-1 требовалась создание миниатюрной, микроэлектронной БЦВМ. В тот период не стояла задача повторять результаты аналогичных исследований, проводимых на Западе – в лучшем случае параметры разрабатываемых элементов микроэлектроники были близкими.

Наши исследования, в том числе, послужили основанием для решения Совета Министров СССР, подписанного А. Н. Косыгиным, о преимущественной ориентации СО АН на развитие вычислительной техники, об организации в СО АН под задачи микроэлектроники и вычислительной техники нового Института физики полупроводников, о подключении к этим работам Института неорганической химии СО АН (ИНХ). Здесь был организован отдел, основной задачей которого стал синтез материалов (первоначально CdS – сульфид кадмия) для задач микроэлектроники, возглавляемый к.х.н. Ф.А. Кузнецовым (в 1983–2005 директор ИНХа). Впервые мы обратились в ИНХ СО АН в 1961 году с просьбой синтезировать порошок CdS для создания транзистора, указав необходимые для наших задач его свойства и описав перспективы и неизбежность появления нового направления техники – «микроэлектроника». Ф.А. Кузнецов оказал нам содействие в этом вопросе.

Большое внимание к нашим работам проявлял и академик В.М. Глушков, директор Института кибернетики АН УССР, где разрабатывалась управляющая ЭВМ широкого назначения «Днепр». Глушков неоднократно приезжал к нам в институт и всегда приходил к нам в группу.

В русле указанных решений в 1964 г. был организован и ВЦ СО АН, первоначально во главе с к.т.н. Ю.Г. Косаревым, а затем – чл.-корр. АН СССР Г.И. Марчуком. К решению вопросов миниатюризации электронных приборов позже подключился также и ИАиЭ СО АН, директор которого, чл.-корр. АН СССР К.Б. Карандеев, уделял особое внимание проблеме миниатюризации приборов измерительной техники (в частности, один из первых выпусков журнала «Автометрия» в 1965 году был посвящен этому вопросу) и ряд других институтов, а также Опытный завод СО АН. Предполагалось дальнейшее увеличения числа институтов в СО АН СССР и организация технологического Центра аналогичного Зеленограду, задачей которых было бы участие в разработке и создании суперЭВМ. Результаты указанных работ, проводимые в СО АН СССР, послужили основой создания и развития промышленности микроэлектроники в г. Новосибирске, они начинались при поддержке институтов СО АН на таких крупных промышленных предприятиях как НЭВИ (ныне ФГУП «Восток»), п/я 27 и ряд других, которые перенимали опыт институтов СО АН в новой области техники и технологии.

Тонкопленочные полевые транзисторы

В конце 1962 года – начале 1963 гг. были созданы первые в СССР тонкопленочные полевые транзисторы на изолирующей подложке (руководитель работ Э.Г. Косцов, ныне зав. лаб. ИАиЭ СО РАН, д.ф.-м.н.). В этом транзисторе расстояние исток–сток 50 мкм – лучшее, что можно было тогда сделать с помощью масочной технологии (фотолитографии тогда еще не было).

Отметим, что в те же годы аналогичные работы по разработке тонкопленочных полевых транзисторов на основе полупроводника CdS проводились в МЭИ под руководством К.В. Шалимовой и в Ленинграде (КБ-2), под руководством Ф.Г. Староса. Эти работы носили закрытый характер. Как выяснилось на закрытой конференции по электронике, проведенной в 1964 году в Таганроге (председатель конференции д.ф.-м.н. В.И. Стафеев), сибирский транзистор обладал значительно более высокими параметрами. В.И. Стафеев, однако, справедливо заметил, что CdS не лучший материал для создания микроэлектронных элементов, лучше использовать мономатериал – кремний. Выступление в Таганроге было первым публичным представлением наших исследований в области микроэлектроники. Мы начали заниматься этой тематикой после окончания университета, опыта написания научных текстов не было, как и не было опытных руководителей, которые могли бы нас направлять, но мы регулярно писали научно-технические отчеты. Первые публикации по тонкопленочной тематике у нас появились только в 1965 году.

Отметим также, что работы по созданию тонкопленочных, полностью напыляемых на поверхность изолирующей подложки транзисторов проводились на Западе фирмами RCA, Huges, Melpar, университетом в Калифорнии. Сравнение этих транзисторов с полученными в ИМ СО АН, показывало близость их нормированных параметров.

Хоздоговор с ОКБ-1

В середине 1964 году мы заключили хоздоговор «Разработка стандартных элементов для БЦВМ в пленочном исполнении» с ОКБ-1 С.П. Королева (ныне НПО «Энергия»). В начале работы (апрель–май 1964 г.) он позвонил и представился мне как проф. Сергеев, спросив понятно ли Техническое задание, а также сделаем ли мы работу в срок. Я отвечал утвердительно, сказал, что у нас уже есть большой задел, а указанные в ТЗ параметры мы уже практически имеем. Разговор продолжался 20–30 секунд, тогда этому звонку я не придал серьезного значения, обычный рутинный контакт.

Договор был на всю возможную сумму, которую разрешалось «осваивать» Институту математики. Заказчики сокрушались, что эта сумма (135 тыс. руб.) очень небольшая, они готовы были увеличить ее в несколько раз. До этого, годом ранее, договор на такую же сумму вел сотрудник ИМ Член-корреспондент АН СССР Леонид Витальевич Канторович.

Договор по разработке указанных тонкопленочных элементов, притом с заданными, достаточно жесткими параметрами, мы, несмотря на малый срок (7 месяцев), успешно выполнили. Успех этой работы был обусловлен тем, что у нас уже имелся большой задел и практически все параметры указанных приборов были апробированы. По итогам работы был составлен подробный отчет объемом 280 страниц с предложением по дальнейшему развитию ОКР. В закрытой части отчета рассматривались вопросы массы и габаритов создаваемых полупроводниковых приборов, содержалось сравнение с используемой в то время элементной базой и возможности практического применения разрабатываемой элементной базы для бортовых систем.

Наш выбор CdS как базового полупроводника при создании ТПТ был обусловлен как тем, что этот материал был очень хорошо изучен, он уже широко применялся при построении фотоприемников, а также тем, что мы уже создали тонкопленочные диоды со структурой Ti-CdS-Te-In c хорошими параметрами. Позже исследование этих диодов было представлено в журнале «Вычислительные системы» № 15, 1965 год.

Было проведено сравнение параметров созданных нами ТПТ с параметрами зарубежных фирм (RCA, Melpar, Huges, Калифорнийский университет) с пересчетом на одинаковые геометрические размеры. Оно показало, что эти параметры были близки. Позже указанное расстояние, несмотря на использование масочной технологии, было снижено до 50 мкм, соответственно были улучшены и параметры транзисторов.

Первые в СССР тонкопленочные полевые транзисторы на основе CdS, справа вверху видна одна из масок на основе тонкого молибдена

Рис. 1. Первые в СССР тонкопленочные полевые транзисторы на основе CdS, справа вверху видна одна из масок на основе тонкого молибдена

Технологическая база исследования

Наши физико-технологические успехи в области создания тонкопленочных элементов электроники обеспечивались высокой по тем временам (1961–1965 годы) технологической базой и соответствующей вакуумной культурой. Каждый из изготовленных образцов сопровождался физико-технологической картой-паспортом, где указывались как все параметры технологического процесса, так и некоторые электрофизические параметры.

Одним из важных факторов, обеспечивающих высокие результаты наших исследований, была разработка по нашим многократно обсуждаемым предложениям конструкторским бюро ОВТ (А. Крашков) и изготовление на Опытном заводе крупных универсальных технологических установок, с большим числом фланцев, до 16, для высоковакуумного напыления пленок. Поверхность камер и фланцы предназначались для высокого вакуума до 10-10 мм рт. столба. Одна из трех таких установок успешно функционирует в настоящее время в ИАиЭ СО РАН [рис.2]. Установки были куплены соответствующими организациями Москвы, Ленинграда, Минска, Томска, Киева и др.

Все форвакуумные наносы находились вне технологических помещений, были проложены системы форвакуумных линий, вход в технологические помещения проходил через тамбуры и т.д. Для обеспечения постоянной работоспособности была создана специальная группа вакуумщиков (3–4 человека). Был создан большой химический участок – для подготовки подложек и для очистки вакуумной оснастки. Для изготовления масок создали специальную фотолабораторию с соответствующим оборудованием, с ее помощью удалось создать маски из тонкого молибдена, позволившие нам изготовить полевые транзисторы с расстоянием исток-сток в 50 мкм.

Для указанных технологических задач из Новосибирска привозилась сверхчистая деионизованная вода, однако при перевозке ее сопротивления в несколько раз уменьшалось – с 20 Мом до 5–7 Мом. Поэтому был создан также свой участок для производства чистой воды, с двойной перегонкой. Ежедневно привозили жидкий азот, старожилы Института математики вероятно помнят многочисленные дюары с жидким азотом, которые постоянно стояли у главного входа Института, позже они были заменены на азотный большой танкер.

Все производство поддерживалось крупными механическими мастерскими, которые оперативно изготавливали по наброскам технологов или по чертежам нашего КБ вакуумную оснастку. Иными словами был создан замкнутый комплекс для выполнения сложных физико-технологических задач.

В Отделении вычислительной техники было две крупных физико-технологических лаборатории. Одна из них возглавлялась В. Дятловым. Наша группа была в составе этой лаборатории на правах полной автономности, вторая группа во главе с Дятловым и Ю. Данилевским занимались магнитными явлениями, в том числе в тонких пленках, также применительно к задачам построения элементов вычислительной техники. Другая лаборатория, созданная на 2 года позже – лаборатория А. Трубецкого. В составе последней лаборатории были Ю. Басихин, разработчик новых ферритов и плазмо-химических методов получения пленок, а также семейства материалов для электронно-лучевой литографии на базе кремний-органических соединений, А. Сулимин, один из первых разработчиков плазмо-химических способов получения пленок и О. Яковлев, организатор внедрения первых плазмо-химических методов получения пленок в производство.

Одна из высоковакуумных технологических установок, изготовленных на Опытном заводе СО РАН, 1963–1964 гг.

Рис. 2. Одна из высоковакуумных технологических установок, изготовленных на Опытном заводе СО РАН, 1963–1964 гг.

Создание Института физики полупроводников (ИФП)

Меня несколько раз приглашал к себе Сергей Львович, когда принимал различные делегации и мы вместе говорили о развитии микроэлектроники в Институте математики. Для этих целей у меня всегда с собой была коробка с нашими образцами, которые я постоянно обновлял. Однажды я присутствовал в кабинете Сергея Львовича, когда он беседовал с крупным военным начальником (возможно, это был один из зам. министров обороны – генерал-полковник, тогда я, по молодости лет, не обращал внимание на такие «мелочи»). Последний, после рассказа о наших разработках оживился и, обратился к Соболеву: «Хотите, мы построим вам новый Институт, здесь рядом?». Возможно, этот разговор дал толчок к созданию ИФП.

При выборе названия института обсуждались варианты: Институт физики твердого тела, Институт физики элементной базы ВТ, Физико-технологический институт, Институт микроэлектроники. В выборе конечного названия Института сыграли роль как уверенность в перспективности полупроводникового направления, так и наши работы.

Помню, как мы сразу же начали планировать число лабораторий в этом институте, спорили об их числе и тематике, и заказывали оборудование. Просматривая список этого оборудования, в последний момент обнаружилось отсутствие электронного микроскопа, срочно заказали чешский микроскоп Е-4 (впоследствии, наши сотрудники, перешедшие в ИФП, говорили, что все заказанное оборудование поступило в ИФП, включая и указанный микроскоп). При выборе названия института обсуждались варианты: Институт физики твердого тела, Институт физики элементной базы ВТ, Физико-технологический институт, Институт микроэлектроники. В выборе конечного названия Института сыграли роль как уверенность в перспективности полупроводникового направления, так и наши работы.

Но никто из нашей «команды» не мог возглавить новый Институт, мы не имели научных степеней и даже публикаций. М.М. Лаврентьев предлагал мне быструю защиту по техническим наукам на основе имеющихся отчетов, но для меня это было психологически сложно, учитывая то, что я окончил университет по кафедре теоретической физики. Лаврентьев сказал, что пройдут годы, и никто не вспомнит эти тонкости, но я не согласился. В итоге я защитил диссертацию на звание к.ф.-м.н., первым из нашей команды, но только через 4 года, имея уже публикации в центральных физических журналах, в 1968 году, в Объединенном диссертационном совете по физико-математическим и техническим наукам в ИФП, под председательством А.В. Ржанова. Тема диссертации «Исследование влияния особенностей микрорельефа поверхности электродов на процессы прохождения тока и явления пробоя в тонкопленочной системе металл-диэлектрик – металл». В ней, в частности, рассматривалась инжекция электронов в диэлектрик с поверхности микровыступов с нанометровыми радиусами кривизны.

Насколько я помню, первоначально предполагалось, что директором нового института будет В.И. Стафеев, он даже специально приезжал в Академгородок из Зеленограда на 5–7 дней. Ему показали наши результаты, включая демонстрацию возможности создания ряда мультивибраторов на базе наших тонкопленочных транзисторов. Однако позже мы узнали, что директором нового Института – Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР – был назначен А.В. Ржанов, избранный членом-корреспондентом АН СССР в июне 1962 г. Постановлением Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники и Института радиофизики и электроники был создан Институт физики полупроводников (ИФП СО АН СССР). Время показало, что выбор А.В. Ржанова, известного ученого в области физики поверхности полупроводников, в качестве директора нового института был очень удачным. ИФП за эти годы превратился в один из крупнейших и авторитетных институтов СО РАН и РАН.

Сразу же после организации ИФП ряд наших сотрудников перешел в новый институт (Э. Скок, Л.Гасанов, В. Петросян, Э. Дагман), другие сделали это несколько позже: Е. Черепов, Б. Фомин, И. Солдатенков, И. Михайловский, Ю. Невский, Л. Покровский, А. Хороменко, В. Пчелкин, К. Зилинг, Б. Зотьев, В. Хорошевский и др. Я же, вместе со своей группой, связанный действующими установками и конкретными планами, не решился сразу на такой переход, хотя это было бы очень логичным завершением истории.

Летом 1964 года, к нам, в ИМ, дважды приходил вновь назначенный директор ИФП А. В. Ржанов, мы подробно говорили о технологии микроэлектроники.

13 июля 1964 года в нашу группу в сопровождении М.А. Лавреньева и С.Л. Соболева приходил М.В. Келдыш, сразу же после вручения им Ленинской премии академику А.И. Мальцеву, несмотря на очень напряженный график его визита в Новосибирск. Мы с ним проговорили минут 15, рядом были А.И. Мальцев, возможно А.В. Ржанов и К.Б Карандеев, другие участники церемонии вручения премии. В момент разговора Келдыш задавал достаточно общие вопросы относительно элементов микроэлектроники. Разговор понравился М.А. Лаврентьеву, он мне показал большой палец, за несколько месяцев до этого у нас состоялась личная встреча, где я достаточно подробно рассказывал о наших разработках.

Внедрение в производство

Согласно договору между ИМ СО РАН и НЭВИ группа сотрудников предприятия (в том числе, ныне работающие В.Н. Гаштольд, И. Степанов, а также А. Геновкер, А. Колосанов, О. Кузнецова и др.) стали создавать технологический участок, размещенный в двух комнатах на первом этаже здания-пристройки ИМ по 60 м2. Участок включал 6 вакуумных установок с форвакуумными линиями, оснасткой и т.д. Была полностью скопирована технология изготовления элементов (тонкопленочные транзисторы, диоды, конденсаторы, сопротивления), которые уже были созданы в ИМ, наши сотрудники участвовали в этом процессе, оперативно решая возникающие вопросы.

Все пункты указанного соглашения были успешно и в срок выполнены, коллектив сотрудников НЭВИ передислоцировал все созданное технологическое оборудование на свою территорию, воспроизвел параметры всех указанных элементов, сдал работу межведомственной комиссии. Комиссия, отметив успешное выполнение поставленной задачи, не рекомендовала начинать мелкосерийный выпуск тонкопленочных полевых транзисторов на основе CdS. Причина – недостаточная стабильность их параметров во времени, что отмечалось и в указанном отчете. Решено было рекомендовать, базируясь на уже накопленном опыте работы с тонкопленочной тематикой, переходить сразу на кремниевую технологию, аналогичная ситуация была и в указанных американских фирмах: ни один из транзисторов на основе CdS не пошел в серию. Однако начало становления новой для НЭВИ тематики, современной микроэлектронной технологии, было заложено, и НЭВИ стал одной из ведущих организации в стране в области технологии микроэлектроники. Впоследствии по микроэлектронной тематике мы неоднократно выполняли хоздоговорные работы совместно с НЭВИ.

Заключение

Отделение вычислительной техники ИМ СО РАН перестало существовать в 1972 году. Логично было бы на его базе организовать новый институт – Институт вычислительной техники. Причиной ликвидации ОВТ являлось не качество проводимых в Отделении работ, оно было очень высоким, а чисто субъективные факторы, в первую очередь организационные проблемы руководителей Отделения, неспособность их найти общий язык с руководством СО АН СССР, с другими «внешними» организациями. Мы, молодые сотрудники, в то время не понимали таких «нюансов», просто занимались своей конкретной деятельностью, но, в итоге, многие из нас были вынуждены менять место работы, переходить в другие институты СО РАН.

Об авторе: Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Новосибирск, Россия
kostsov@iae.nsk.su
Материалы международной конференции Sorucom 2014 (13-17 октября 2014)
Помещена в музей с разрешения авторов 31 Июля 2015

Проект Эдуарда Пройдакова
© Совет Виртуального компьютерного музея, 1997 — 2017