Русский | English   поискrss RSS-лента

Главная  → Документы и публикации  → Материалы конференций  → Материалы Международной конференции Sorucom-2017  → История развития конструктивно-технологических базисов перспективных трехмерных ИС СВЧ гигагерцового и терагерцового диапазона

История развития конструктивно-технологических базисов перспективных трехмерных ИС СВЧ гигагерцового и терагерцового диапазона

Истоки истории развития конструктивно-технологических базисов перспективных трехмерных ИС СВЧ гигагерцового и терагерцового диапазона микроэлектроники начинались в НИИ "Пульсар" с разработки функциональных твердотельных схем ИС100 на кремнии в 1962 году. Шла холодная война. Фантасты уже думали о создании искусственного интеллекта и солдат роботов. Поэты писали: "И пойдут и мертвые раздавят\ С помощью науки, Нас живых, \ Что тогда Мы сможем противопоставить? \ Нашей мысли воплощенной в них". Коржавин Н. М.

Америка хотела лидировать над миром. Россия пыталась не отставать и на первом этапе копировала образцы ИС SN-51 и создала свои ИС по отечественной технологии для противоракет. А дальше в НИИМЭ были серийно изготовлены высоконадежные отечественные сверхбыстродействующие ИС К138 ЭСЛ типа для ЭВМ "Ряд-2" на мелких диффузионных слоях, затем ИС серий 100, 500, 700 специально для многопроцессорных ЭВМ "Эльбрус-2". ИС создавались на сверхтонких и ультратонких слоях с применением новых принципов самосовмещения и самоформирования при использовании автоматизированных процессов диффузии с использованием жидких источников диффузанта.

Впервые были разработаны СВЧ структуры с гетеро-эмиттерными переходами на основе поликремния, легированного As, а затем и Р. Для реализации ультратонких слоев были внедрены быстрые процессы отжига примесей. Интенсивно начинались исследования новых принципов создания перспективных трехмерных ИС СВЧ гигагерцового и терагерцового диапазона. Время пролета электронов от эмиттерных до коллекторных областей необходимо было сократить от 10 до 1 пикосекунды. Начинался период потепления отношений с США. И в 1988г. в СССР был проведен Всесоюзный конкурс по микроэлектроники. Результаты были доложены на конференции в г. Варна в Болгарии, а в 1991 году сделан доклад в Филадельфии по созданию СВЧ полностью самосовмещенных структур с вертикальными пассивными областями базы с применением псевдолитографических масок с наноразмерными элементами. Алигатомные структуры с толщиной областей активной базы и эмиттера порядка 300 Ангстрем формировались при быстрой одновременной диффузии В и Р из пленки поликремния.

При реализации конкурсного проекта Н.М. Луканова НПК ТЦ МИЭТ совместно с НИИМЭ начали работы по созданию структур с активной областью базы на основе сплава SiGe. Исследованы различные конструктивно-технологические схемы самоформирования полностью самосовмещенных вертикально интегрированных транзисторных структур с обращенными и прямыми эмиттерами для терагерцовых БИС. Точное позиционирование элементов с нанометровыми размерами на поверхности и на определенной глубине пластины кремния достигалось за счет применения самосопряженных и составных псевдолитографических масок. Исследованы критичные узлы в конструкции и технологии изготовления структур с узкими и плоскими эмиттерными областями и с обращенным профилем легирования мышьяком с отжигом в водороде на поверхности.

Результаты исследований отражены в ряде статей, размещенных в Виртуальном компьютерном музее (ВКМ) в 2016г.

Материалы международной конференции Sorucom 2017
Помещена в музей с разрешения автора 21 Января 2018

Проект Эдуарда Пройдакова
© Совет Виртуального компьютерного музея, 1997 — 2018