Русский | English   поискrss RSS-лента

Главная  → История отечественной вычислительной техники  → Предприятия и НИИ  → Разработка новой технологии для первых отечественных функциональных твердых схем ИС100 в ФГУП НПП «Пульсар»

Разработка новой технологии для первых отечественных функциональных твердых схем ИС100 в ФГУП НПП «Пульсар»

К истории создания отечественной микроэлектроники. Глазами участников событий

МЭИ – наставники и студенты – в русле нового «твердотельного полупроводникового течения».

МЭИ

На последних (1962 – 1963 гг.) курсах Московского энергетического института (МЭИ) кафедры («ЭТМ и К») – «Электротехнических материалов и кабелей» (зав. кафедрой профессор Дроздов Николай Гаврилович) по специализации «полупроводники и диэлектрики» расширенные лекции по основным предметам читали опытные и известные специалисты. Среди них: зам. министра МЭП Константин Иванович Мартюшов, ведущие специалисты головной организации по полупроводниковым приборам п/я 281 (НИИ-35, НИИ-ПЭ, сейчас ФГУП НПП «Пульсар») – директор Анатолий Федорович Трутко, главный инженер Дмитрий Борисович Зворыкин, разработчик первых отечественных транзисторов профессор Александр Викторович Красилов, ведущий специалист по полупроводниковым материалам профессор Сергей Александрович Медведев, ведущий специалист Государственного института «Гиредмет» профессор Михаил Иванович Иглицын.

Мне всегда везло с отличными учителями. И в московской обычной среднеобразовательной школе №223 тоже. Ещё в школе я буквально впитывал в себя знания моего первого наставника по полупроводникам Александра Никифоровича Пужая (рис. 1) – сотрудника п/я 281, затем НИИ-311. Я его величал «дядя Саша».

Встретил его случайно в лесу, что был недалеко от завода Войкова. Он шёл такой импозантный и строгий, а в руке держал маленький приёмник, из которого громко лилась музыка. Я не удержался и заговорил с ним. И он увлёк меня в таинственную область полупроводников и миниатюрных приборов на их основе. Благодаря его таланту рассказчика и удивительному личному обаянию, я и решился после окончания школы пойти на работу на завод при НИИ «Гиредмет», где выращивали слитки монокристаллического германия, а затем и кремния.

А.Н. Пужай

Рис. 1. А.Н. Пужай

Н.М. Луканов

Рис. 2. Н.М. Луканов

Мне, будущему студенту МЭИ Николаю Луканову (рис. 2), очень хотелось самому делать такие удивительные приёмники и быть в чем-то похожим на моего наставника и моих лучших учителей по жизни.

Работая оператором на заводе и часто бывая в НИИ «Гиредмет», много узнал от специалиста по германию Н.П. Сажина, от первых разработчиков монокристаллического кремния Б.А. Сахарова и молодого учёного Михаила Григорьевича Мильвидского (будущего академика), а также от своего начальника измерительной лаборатории «Гиредмет» Виктора Зиновьевича Болтянского. Эти увлечённые своим делом люди заставили меня по-новому взглянуть на жизнь и на будущую свою профессию. Уже, будучи студентом, я понял, какую добротную закваску для будущего творчества давали нам преподаватели, – мы узнавали не только о впечатляющих разработках в области создания новых устройств на Ge и Si, но и о теоретических особенностях их функционирования. Остались в памяти интересные работы ряда авторов [2-7]. Заслуженным вниманием пользовались сборники статей под редакцией Якова Андреевича Федотова. Отечественные и зарубежные учёные вводили нас в атмосферу поиска и новых знаний. Особенно интересными были лекции А.Ф. Трутко, стажировавшегося в США и, не понаслышке, знавшего о работах в области создания интегральных твёрдотельных схем (ИТС). Анатолий Федорович не только преподносил нам тонкости технологического искусства, но и умело освещал вопросы теории работы полупроводниковых транзисторов [1]. Умственные затраты студентов с лихвой компенсировались туристическими походами по Подмосковью, прогулками по знаменитым историческим местам, выходами в свет, участием в общественных мероприятиях веселой студенческой жизни и выходом на просторы отечества.

Мы, дотошные и неспокойные студенты, по своим каким-то каналам узнали, что в п/я 281 создан новый отдел по разработке функциональных твёрдотельных устройств и возможен набор в него выпускников и с нашей кафедры. Говорили, что возьмут тех, кто попадёт на дипломную практику в этот п/я и покажет нужные результаты по конкретной тематике. Работая в этом направлении, мы – в основном студенты ЭМ-8-58, сколотили инициативную группу. В этой группе были: Виноградов Роман, Катульская Наталья, Кремлев Вячеслав, Лементуев Владимир, Пужай Татьяна, Зубков Александр, Зубкова Татьяна, Фурсов Владимир и Мотовилов Виктор. Они сразу распределились в п/я 281 и, кроме последнего, стали известными специалистами по разработке микроэлектронных приборов. Демидов Станислав, Евстафьева Галина, Тулянкин Николай, Чистопрудов Леонид и Игорь Быков в итоге попали в другие институты и там тоже отличились. Студент Николай Луканов тоже мечтал попасть в п/я 281, но тут подвернулся неожиданно другой вариант, который подсказал куратор нашей группы Подмарьков. Появилась возможность идти на практику и дипломное проектирование в закрытое предприятие «КБ-1» (будущий ЦКБ «Алмаз»), где уже, якобы, был создан отдел по разработке функциональных устройств на полупроводниковых приборах. Три троллейбусные остановки до метро “Сокол” отделяли «закрытый» отдел от моего дома. Казалось, что моя мечта сама слетала ко мне на крыльях из полупроводникового материала. Когда-то, после завершения 10 класса, я пришёл пешком устраиваться на работу на это предприятие учеником «радиомастера» и не был принят, но получил в отделе кадров дельный совет: “поступить в институт МАИ или МЭИ и окончить его с отличием”. Цель поставлена.

Я пришёл на дипломную практику в КБ-1, но не попал в лабораторию Станислава Александровича Гаряинова, входящую в отдел А.А. Колосова [6,8], а был направлен “временно” в другую лабораторию, расположенную на самой верхней части здания сталинской архитектуры в виде бойницы. Уже через много лет, работая в НИИМЭ (г. Зеленоград) и, встречаясь с Горяиновым, услышал, что Андрей Александрович Колосов, как никто другой, понимал, что для ракет и противоракетных систем управления крайне необходимы высоконадёжные твёрдотельные ИС (ИТС) и добился организации нового отдела. А тогда в 1963 г. уже было принято решение о закрытии отдела Колосова и передаче тематики по разработке ИТС в г. Зеленоград. Мне пришлось три месяца проработать в КБ-1 в лаборатории, где я удачно построил простую установку по плавному изменению температуры от жидкого азота до комнатной температуры. Начальник лаборатории предложил мне заняться разработкой быстродействующих принтеров, я категорически отказался и встретился лицом к лицу с зам. директора по кадрам, у которого не было желания отпускать отличника по учёбе. Он внимательно смотрел на меня, как бы изучая, а затем поведал мне, – «что отдел, в котором я сейчас работаю, занимается очень важной тематикой, находится на хорошем счету, имеет высокие зарплаты». Видимо, заметив моё отсутствующее внимание, добавил уверенно: “А вот новый отдел, о котором ты говоришь, ещё не функционирует и будет скоро расформирован и переведён в другой город”.

Я тихо и угрюмо ответил: “Я хочу разрабатывать твёрдотельные функциональные устройства. Могу ли я сейчас позвонить в свой институт?”.

Моему куратору по телефону быстро удалось решить дело и вернуть своего студента на кафедру. Он попытался направить меня на дипломную практику в тот самый № 281. Тут у него явно не получилось. Но знакомство с КБ-1 на этом не закончилось. Будущие мои разработки, так или иначе, пересекались с интересами этой уникальной фирмы.

Предприятие п/я 281 – кузница специалистов.

Директор института А.Ф. Трутко сам принимал решения кого из молодых специалистов направлять в свой новый отдел №11. После лекции я завёл разговор о своём желании сделать диплом по тематике ИТС. Неожиданно для меня, он сразу поставил свои условия.

 – “Сначала студент должен будет сделать диплом по интересующей институт тематике высокочастотных (ВЧ) мощных транзисторов в лаборатории Евгения Зиновьевича Мазеля, решив проблемы по диффузии бора в тонких слоях с высокой воспроизводимостью параметров процесса и однородным распределением примеси по пластинам.”

А затем убедительно добавил, – «директор будет решать мой вопрос на месте». Так окольными путями попал я не сразу туда, куда прямо по направлению попали некоторые мои сокурсники – в закрытый институт за №281, но в другой отдел.

Начальник лаборатории Е.З. Мазель был уже в курсе, – сразу поставил дипломнику чёткое задание по работе и дипломному проекту, свёл с ведущим инженером Александром Гуровым и с мастером кварцедувных работ. В лаборатории практиковался закон: “молодой выпускник должен поработать своими руками”, – и мне вручили огнеупорные кирпичи, силитовые (SiC) нагреватели, Pt – (Pt-Rd) термопару, электронный блок и инструкцию по технике безопасности (ТБ).

Кстати, к вопросу о ТБ. Работая у Мазеля, мне пришлось наблюдать, как горит толуол в соседней лаборатории химии. Произошло самовоспламенение толуола. Огромное пламя огня вырывалось бушующими клубами из химического шкафа, внезапно стихая, – оно вдруг, как бы впитывая новые порции горючего материала, – снова выплёскивало языки огня и дыма. Люди стояли в оцепенении, не в силах ничего предпринять. Потеряв подпитку, огонь выдохся и погас сам. Чёрная комната выглядела как обгоревший куб.

В лаборатории Е.З. Мазеля использовался зарубежный метод диффузии бора с применением типового бокса (контейнера) прямоугольной конструкции с верхней крышкой из кварца и Pt прокладкой (рис. 8,а [7, стр. 81, см. источник 32]). Освоение навыков кварцедувных работ прошло быстро. Наконец, приступаю к созданию первой в своей жизни высокотемпературной (до 1300оС) малогабаритной диффузионной печи. Много времени и трудов праведных заняло изготовление оригинального, так мне казалось тогда, по конструкции прозрачного кварцевого квазигерметичного (с контролируемой утечкой паров диффузанта) бокса. Он имел боковые рога-прутки для фиксации утяжелённого цилиндрического корпуса относительно пришлифованного с ним кварцевого основания с двумя отверстиями (рис. 8б). Наконец, бокс готов. Медленно задвигаю сложную и дорогую мне конструкцию в пылающий зев моей печи в атмосферу спектрально чистого аргона. Всё – процесс пошёл, можно дышать свободно и думать о последствиях опыта. Результат получился выше ожидаемого, разброс поверхностного сопротивления ρS по центральным пластинам получился не более +/- 20% на уровне среднего значения, равного 200 Ом/□ (примерно такой же, как и у зарубежной модели).

Кварцевые и алундовые боксы для диффузии В

Рис. 8. Кварцевые и алундовые боксы для диффузии В: а – зарубежная конструкция, б – модернизированная отечественная конструкция, в – конструкция алундового бокса, г – конструкция полностью герметичного алундового бокса.

Однако наша отечественная конструкция имела более солидный промышленный вид, не требовала применения Pt прокладки и давала такие же результаты по однородности параметров на пластинах. Но было это всего лишь, к сожалению, усовершенствованием известного зарубежного метода. Рисунки 8 (а-г) были приведены в дипломном проекте студента Н. Луканова.

На тропе к новым отечественным достижениям.

Обсуждение результатов каждого опыта с Мазелем и Гуровым стало обычным делом. «Перейти Рубикон» удалось после изготовления в НИИ-311 специальных боксов из сверхчистой алундовой керамики (Al2O3) c индивидуально притёртыми крышечками и рассчитанными на вмещение одной, горизонтально расположенной пластины Si (рис. 8в). Это был вариант диффузии из плоско-параллельного источника. Диффузант B2O3 в виде мелко дисперсной фракции наносился на дно бокса и предварительно оплавлялся. Пластина размещалась параллельно зеркалу расплава и удерживалась на выступах. Над пластиной устанавливалась алундовая крышечка. Разброс ρS не превышал 10%. Как потом оказалось и этот способ был уже известен [7].

И, наконец, минимальное значение разброса ρS не более ±3%, к неописуемому восторгу молодого изобретателя, было получено при использовании этого же бокса, но при полной его герметизации за счёт использования той же крышечки с дополнительно нанесённой и оплавленной плёнкой B2O3, которая и обеспечивала герметизацию (рис. 8г). Успех был налицо! И это было уже точно отечественное достижение и превышение по показателям цели! Можно было даже считать эти однородные слои эталонными. И можно было целенаправленно начинать работы по изготовлению и исследованию ВЧ мощных транзисторов на тонких диффузионных слоях и на более высоком уровне понимания процессов диффузии.

В приподнятом настроении от полученного эксперимента поделился результатами с однокурсником Романом Виноградовым. Он отреагировал мгновенно: – «Не может такого быть, разброс параметров слоя получился меньше суммарной ошибки измерительной установки». Пришлось знакомиться с методикой проведения измерений на 4-х зондовой установке и оценкой погрешностей у известного специалиста по метрологии Ю.А. Концевого. Результаты удалось подтвердить на специальных тестовых структурах по типу диффузионных резисторов. Вскоре состоялось первое выступление с научным докладом на конференции молодых специалистов в Конференц-зале института. Рецензию на дипломную работу с отличной оценкой и рекомендацией к опубликованию дал Владлен Иcаакович Диковский – ведущий инженер п/я 281. Он же указал и на недостаток работы – отсутствие детальных исследований по диффузии фосфора для создания эмиттерных областей ВЧ мощных транзисторов. Как будто он глядел в воду, – зеркало событий грядущих на предстоящем поле битвы! При формировании обычных n+-p-n триодных структур широко применялся подход, сформулированный им в 1962 году, и заключающийся в применении высокой поверхностной концентрации фосфора, составляющей около 2*1021 атом/см3 [5].

 

В отделе Б.В. Малина уже шла разработка интегральных твёрдотельных схем на кремнии (ИТС).

Своё обещание Анатолий Федорович Трутко сдержал. Согласовав решение с начальником отдела Борисом Владимировичем Малиным, он 2 января 1964 направил выпускника МЭИ года инженером в лабораторию к Феликсу Павловичу Прессу на новую разработку микромощных транзисторных структур (МкТС) в отдел №11. Встреча с Б.В. Малиным (рис. 9) состоялась в его кабинете.

Передо мной предстал: – высокий, худощавый, коротко подстриженный стройный мужчина с тёмными ершистыми волосами, довольно моложавый, в сером костюме, – начальник со строгим взглядом, но умными напористыми глазами, которые, как казалось, несколько подавались вперед, осматривая пришельца.

Начальник отдела №11, затем отдела №5 Малин Борис Владимирович

Рис. 9. Начальник отдела №11, затем отдела №5 Малин Борис Владимирович

– «С твоим дипломом ознакомился, впечатляет, но у нас нет проблемы с диффузией бора, у нас плохо идут процессы диффузии фосфора для коллекторных и эмиттерных областей. Этим и займёшься, но сразу на тестовых структурах изделия ИС100. С Тупицыным согласуешь методику измерения параметров. Диффузию бора можешь делать у Владимир Лементуева – твоего сокурсника. За диффузию фосфора из твёрдого источника отвечает нач. лаборатории Аркадий Самуилович Добкин. Выяснишь слабые места, придёшь ко мне с обоснованиями. Жду через месяц».

Я уже освоился с начальником и выдохнул: «А как же микромощные транзисторы?»

Он добавил: «На этих тестовых структурах (ТС) и будешь проверять работоспособность своих структур, в том числе, и в микроамперном режиме».

Все попытки воспроизвести в отделе зарубежный опыт по диффузии фосфора с источником на основе твёрдого сплава (P2O5)х+(СaO)y [7, стр. 81, см. источник 32] не приводили к желаемому успеху – не давали требуемого процента выхода годных интегральных твёрдотельных схем на важнейшем для страны изделии ИС100.

Так молодого инженера сразу в новой лаборатории и поставили на разработку новой отечественной технологии для ИС100, но с перспективой применения и для формирования МкТС. О конкретных формах воплощения последних пока никто не догадывался. В отделе был отличный зарубежный журнал о перспективах создания микромощных и наномощных биполярных ТС с микронными размерами элементов. И перед лабораторией была поставлена первоочередная задача – обеспечить отдел новыми и воспроизводимыми процессами фотолитографии.

Феликс Павлович Пресс был большой специалист по фотолитографии и, надо отдать ему должное, давая нам почти свободное поле по исследовательской деятельности, умело совмещал интересные семинары по широкому кругу вопросов с разборами задач лаборатории. Он устроил нас внештатными сотрудниками в ВИНИТИ (Всесоюзный институт научной и технической информации). Именно тогда появилось много интересных тем для обсуждений и желаний что-то воплотить [7].

В лаборатории Пресса стояли три диффузионные печи – все однозонные, но двухярусные. На правой печи исследовали и отрабатывали процессы окисления и перераспределения примесей в различных средах очень энергичный Николай Колобов (будущий профессор МИРЭА) и его очень подвижный (и непрерывно говорящий), – способный оператор Саша Истомин. Рядом в углу стояла новая малоинерционная чудо-печурка – ажурная и сферическая, сделанная из двух платиновых чашек, – изобретение Колобова. Средняя печь была постоянно в работе – на ней проводили процессы диффузии дипломник Вадим Марасанов (будущий отличный специалист НИИМЭ) и его руководитель ведущий инженер Владимир Николаевич Чудаков, очень грамотный и инициативный человек, всегда спокойный и добродушный, уделявший большое внимание и процессам фотолитографии. Они исследовали влияние режимов различных диффузионных процессов на параметры диффузионных слоев ρS и глубину n-p перехода – хj [7, стр. 81-82, см. источник 32]).

Показатель цели был классический: высокая однородность значений параметров диффузионного слоя как по пластине, так и на пластинах по длине лодочки. При высокой концентрации легирующей примеси (а только так достигалась необходимая воспроизводимость результатов) на поверхности выявлялись характерные диффузионные, порой экзотические, включения и рисунки. Удалять их с поверхности кремния было не так-то просто, мешала какая-то фаза, связанная с высокой концентрацией примеси. При уменьшении концентрации паров диффузанта существенно увеличивался разброс по параметрам.

Левую печь решили использовать только для диффузии фосфора. Из литературных источников было известно, что фосфор даже через атмосферу скафандра очень легко может попасть на поверхность пластин и “отравить” их – т. е. загрязнить. Затем при отжиге он приводит к созданию локальных диффузионных трубок, которые и “портят” – закорачивают переходы эмиттер-база и эмиттер-коллектор или, в лучшем случае, при малой мощности трубок увеличивают токи утечки переходов. Мы учитывали печальный зарубежный опыт по локальной и неконтролируемой диффузии фосфора из аэрозолей фосфорной кислоты. На слуху была «притча во-языцех» по катастрофическому влиянию на выход годных мощных транзисторов летучих соединений фосфорных удобрений, залетевших в форточку случайно – шутили – «после дождика в четверг» из цветочной грядки под окнами лаборатории в США. Учитывался также отечественный опыт по особенностям диффузии фосфора в различных лабораториях предприятия – у известных разработчиков процессов диффузии Р: Диковского, Мазеля, Добкина и Невежина.

Зарубежный журнал по МкТС и наномощным ТС постоянно напоминал о себе. Продолжаю нарабатывать на верхней трубе однородные базовые области по методу диффузии бора в алундовых боксах с полной герметизацией для МкТС. Попытки сформировать ТС с эмиттерными слоями по имеющейся технологии приводили к большим токам утечки или КЗ. Диффузия фосфора оставалась камнем преткновения. По самой свежей информации из ВИНИТИ, которую мы готовили для сборника [7, стр. 82], можно было ожидать, что «перспективными могут стать методы диффузии из галлоидных или водородных соединений бора и фосфора». Эти соединения уже использовались для эпитаксиальных процессов, но, естественно, при малых уровнях легирования и только в инертной атмосфере. Для их применения в планарной технологии требовалось особое решение руководства института, а главное разрешение службы ТБ, личная решимость инженеров влезть в взрывоопасное мероприятие и их «большое желание» встретиться с предстоящими проблемами поиска.

Для фосфора выбрали наиболее безопасный, как нам тогда казалось, метод диффузии с применением жидкого источника диффузанта – треххлористого фосфора (PCl3). Реагент получили в лаборатории химии. Качество никто не гарантировал. Продукты реакции PCl3 с кислородом и аргоном на первом этапе (временно) решили сбрасывать после работы вечером по длинной фторопластовой трубке прямо в окно. Нужно было визуально оценить влияние кислорода на характер прохождения процесса во времени. Это было явное нарушение ТБ. Белые клубы быстро уносились ветром или рассеивались сами, – процесс пропускания паров диффузанта происходил в течение нескольких минут. Мы думали, что все обойдется. И очень даже напрасно думали тогда так, опрометчиво, начинающие новое и опасное дело инженерно технические работники (ИТР).

Вскоре мне повстречался директор, я поздоровался, он кивнул в ответ и с улыбкой заметил: – «Луканов, это ты ведь расположился под моими окнами и вечером травишь меня каким-то белым газом, надеюсь, что не фосфином».

Я ответил: – «Точно не фосфином. С выхлопом разберемся, Анатолий Федорович, а дымок уберем, – провели пробные процессы, – все нормально».

 Он продолжал: «Будь осторожен с токсичными газами. Не думал, что ты так быстро развернешься, жду положительных результатов».

Я ответил: «Через месяц должен доложить Малину».

Пришлось срочно заделывать отверстие в окне, а трубку, сильно укоротив её по длине, пустить в водосливной канал печи, установив тем самым своеобразный водяной клапан. Это тоже не было согласовано с ТБ. Здесь риск был тоже, но теперь написали заявку на срочное изготовление отдельного вытяжного канала к скафандру.

На первом этапе наблюдались большие токи утечки переходов, которые, возможно, были связаны с недостаточно высокой степенью чистоты исходного реагента. Состоялась досрочная встреча с начальником отдела. Б.В. Малин мгновенно оценил ситуацию и быстро установил контакты с лабораторией химии особо чистых реагентов в юном городе Зеленограде. Уже в начале января мы получили сверхчистый реагент – треххлористый фосфор отечественного производства, правда, наработанный в небольшом количестве.

Снова использую однородные базовые эталонные слои, а также не типовые высокоомные бездислокационные подложки кремния (зонной плавки) диаметром 25 мм. Это позволило в чистом виде проследить прямое влияние режимов формирования эмиттерных слоёв на параметры МкТС, исключив тем самым неопределённости, вносимые базовыми и коллекторными диффузионными областями, а также исходными типовыми подложками кремния диаметром 31 мм. Наконец, достигнут явный прогресс, – ТС показали хорошие результаты по совокупности всех параметров.

Обходим США по процессу диффузии фосфора.

Несомненный интерес для истории отечественной микроэлектроники представляет сохранившийся черновик письма (рис. 10). Н. Луканов подготовил его по указанию Б.В. Малина заместителю министра МЭП тов. К.И. Мартюшову Копия этого письма, подправленная рукой Б.В. Малина, адресовалась и гл. инженеру 2-ого Главного управления МЭП тов. Л.А Петрову. В этом письме речь идёт о ходе выполнения темы ОКР «Прокат» по изделию ИС100. Из текста письма следует, что уже: «В январе 1964 году от п/я 2017 (Зеленоградский институт Материаловедения) были получены образцы сверхчистого PCl3, использование которого дало наилучшие результаты по диффузии коллекторных и эмиттерных слоёв». Уже тогда был установлен деловой и эффективный контакт с Зеленоградом.

Черновик письма, адресованный зам. министра К.И. Мартюшову

Рис. 10. Черновик письма, адресованный зам. министра К.И. Мартюшову (подготовлен Н.М. Лукановым и подкорректирован (чёрные чернила) нач. отдела Б.В. Малиным).

Возможно, Б.В. Малин надеялся в скором времени передать туда свои разработки для освоения. Но судьба распорядилась иначе, изделие было передано для серийного выпуска позже в город Фрязино [11,12].

А пока сравнение результатов проводилось на тестовых структурах ИС100, изготовленных как по нашему новому отечественному методу, так и с использованием уже применявшегося в отделе зарубежного метода диффузии фосфора с источником на основе сплава (P2O5)х+(СaO)y. Диффузию фосфора в кварцевом боксе из этого реагента контролировал сам нач. лаборатории Аркадий Добкин, написавший интересную статью о влиянии градиента концентрации Р на коэффициент усиления транзисторов. Диффузию бора из B2O3 с приемлемым разбросом по ρS в соседней комнате делал мой сокурсник Владимир Лементуев на своей двухзонной печи по существенно улучшенному им процессу.

Выяснилось, что источник P на основе сплава не позволял управлять процессом диффузии фосфора, приводил к внедрению в Si избыточной неконтролируемой концентрации P, находящегося в неактивной форме, а также, возможно, и Са. Параметры «х» и «у» сплава были не известны и они, естественно, изменялись от процесса к процессу. Ситуация усугублялась, к тому же, за счёт сильного влияния на параметры ТС диффузионного коллекторного слоя. Разброс параметров этого слоя был очень большим. Последний формировался тоже по зарубежному методу, но с требуемой по ТЗ низкой поверхностной концентрацией фосфора порядка 1017 атом/см3. А это было проблематично. В результате имел место большой процент бракованных ТС по токам утечки и коротким замыканиям p-n переходов эмиттер-коллектор и эмиттер-база.

Снова встреча с Малиным. Он принимает важное решение о привлечении специализированного предприятия для исследования интегрального распределения концентрации фосфора в пластине Si, предварительно подвергнув её радиационному (нейтронно-активационному) облучению. Но это начинание было уже без меня. Бориса Владимировича особо заинтересовал вопрос о возможности автоматизированного проведения процессов диффузии с применением жидких источников диффузанта. Он попросил найти справочные данные по зависимости парциального давления (р) паров диффузанта от температуры (Т) и их гигроскопичности. Скоро у него на столе лежал толстый и содержательный том по химии. Экспоненциальная зависимость р(Т) настораживала. Время автоматизации процессов диффузии ещё не пришло.

Зато появился сверкающий движущийся великолепный макет из оргстекла. Пластины из кремния на горизонтальном лотке с наклонными отверстиями для газового потока парили (левитировали) и медленно смещались в макете диффузионной трубы с ИК нагревом. Спроектировал его наш ведущий конструктор Захаров, а сделали его наши рабочие – профессионалы своего дела, буквально, – «золотые руки» для показа большой комиссии из МЭП, а затем и ВПК.

Директор Трутко настойчиво торопил и Малина и уже Добкина. Процессы регулярно проводили не только для эмиттерных, но и для диффузионных коллекторных областей. Часто приходилось задерживаться на работе. Во время обеда посещали Измайловский парк, катались на лодках, даже искали грибы и нередко там продолжали обсуждение результатов.

Хочется сказать слова благодарности, всем тем, кто своим добросовестным и творческим трудом помогал нам, инженерам, воплощать в жизнь свои мысли и идеи. В 1960-ые годы молодежь в выходные дни очень увлекалась походами по Подмосковью. Наш институт п/я 281 не был исключением. Главным организатором этих походов был Владимир Чемиров. Большинство ребят в группе имели армейский жизненный опыт. Их рабочие руки умели всё: мастерски работали с металлом, стеклом и кварцем по своей специальности, строили плот, лучше всех умели ставить палатки, разводить костры во время дождя и готовить незабываемые каши с дымком. Знали много походных песен, которые пели под гитару, а все подпевали.

Часто к нам по дороге на работу от метро Измайловский парк присоединялись Юрий Сергеевич Тиходеев, Вячеслав Яковлевич Кремлев, Юрий Иванович Горбунов, Виктор Игоревич Старосельский и Энвер Абзалевич Фаттахов. Будучи сотрудниками нашего отдела, – они живо интересовались ходом технологических работ и сами рассказывали о своих проблемах.

Новая тематика по микромощным транзисторам явно помогала.

Для получения больших статических коэффициентов усиления по току (Вст) в микроамперном режиме необходимо было обеспечить в эмиттерной области достаточно высокие значения времени жизни неосновных носителей заряда – дырок [1-5]. Следовательно, необходимо было не очень сильно легировать фосфором диффузионный слой, т. е. вносить в него минимально допустимую интегральную концентрацию примеси в неактивной форме. Стало понятным, что градиент концентрации фосфора в области p-n перехода эмиттер-база должен быть установлен экспериментально и желательно оптимальным и воспроизводимым. Перед этим, как уже отмечалось выше, после встречи с директором укоротили выхлопную трубку, да ещё направили её в струю воды. Вот и получился первый полезный эффект, а заодно и последующее применение способа герметизации трубы на выходе, частичного улавливания паров диффузанта перед выбросом в вытяжной канал и регулирования давления газового потока на выходе из реакционной трубы с помощью водяного затвора (а впоследствии, с помощью силиконовой жидкости) заданной высоты. Эти эксперименты дали возможность целенаправленно регулировать концентрацию паров диффузанта в рабочей зоне реактора. Было достигнуто значительное и воспроизводимое уменьшение плотности паров диффузанта над пластинами кремния при одновременном оптимальном выборе парциального давления окисляющего реагента. Непрерывно шла модернизация отдельных узлов системы. В итоге поисков мы получили полупромышленного вида установку (рис. 12) для безопасного проведения процессов диффузии, оснащенную скафандрами, вытяжными и газовыми системами. На пластинах стали получаться чистые без следов эрозии участки поверхности, а Вст на «меза»-столиках (химически вытравленных транзисторных структурах) большими по значению, более однородными по распределению по пластинам и высокочувствительными к световому облучению.

Диффузионная установка для процессов диффузии фосфора с применением жидкого источника диффузанта в отделе Б.В. Малина

Рис. 12. Диффузионная установка для процессов диффузии фосфора с применением жидкого источника диффузанта в отделе Б.В. Малина имела: 1 – блок автоматического регулирования температуры, 2 – основание диффузионной установки, 3 – прозрачный скафандр, 4 – герметичный шлиф-заглушка к трубе, 5 – ловушка паров диффузанта, 6 – рабочая кварцевая труба, 7 – отверстие (с круглой заглушкой) для загрузки-выгрузки лодочки с пластинами кремния, 8 – гибкий вытяжной канал к скафандру, 9 – верхняя кварцевая труба.

Коллектив единомышленников.

На первом этапе эффективную и быструю поддержку в исследованиях диффузионных слоёв оказали Владимир Николаевич Чудаков и его неутомимый дипломник Вадим Марасанов. Дотошная и настойчивая Анна Михайловна Луканова стала первым оператором диффузии на этой установке (рис. 12. В 1965 г. она вместе с Малиным перешла работать в конструкторское бюро полупроводникового машиностроения (КБПМ). Туда же была перемещена и эта установка диффузии. Директор КБПМ А.А. Шокин через несколько лет выпустил промышленный вариант автоматизированной системы диффузии.

Вскоре наша лаборатория получила пополнение в лице исполнительной, красивой и терпеливой Колобиной Клавы (Рис.14), – стажера оператора из цеха. Активно включилась в освоение новых процессов в цеху Лыженкова Галина Андреевна (рис. 15), – напористая и целеустремленная, – будущий отличный специалист отдела №22 НИИМЭ, а затем НПК “Технологический центр” МИЭТ. Позднее (с приходом нового начальника лаборатории Александра Михайловича Косогова, заменившего Ф.П. Пресса) подключился к исследованиям добросовестный и вдумчивый очень симпатичный молодой инженер Вячеслав Петрович Миронычев, перешедший также в КБПМ вместе с Б.В. Малиным.

Анна Михайловна Луканова

Рис. 13. Анна Михайловна Луканова.

Колобина Клава

Рис. 14. Колобина Клава

Лыженкова Галина Андреевна

Рис. 15. Лыженкова Галина Андреевна

Людмила Сергеевна Антонова

Рис. 16. Людмила Сергеевна Антонова

Химические процессы проводила Людмила Сергеевна Антонова (по мужу Самойлова) (рис. 16), а тогда просто Людмила, – очень грамотный и настойчивый лаборант, – будущий отличный специалист НИИМЭ, а сейчас НПК ТЦ МИЭТ. Она же обрабатывала пластины в толуоле, различных кислотах, снимала боросиликатные и фосфорносиликатные стёкла в плавиковой кислоте, в селективном уникальном травителе Плискина (Pliskin).

 

Некоторые результаты исследований.

Так начался и быстро завершился этап установления закономерностей в зависимостях Вст и тока утечки для МкТС и ТС ИС100 в функции различных параметров диффузионного процесса.

Кварцевый испаритель жидкого диффузанта с запорными клапанами

Рис. 17. Кварцевый испаритель жидкого диффузанта с запорными клапанами:
1 – канал для заливки диффузанта, 2 – герметичный шлиф, 3 – резервуар для жидкого диффузанта, 4 – камера испарения, 5 – центральная трубка для автоматического поддержания уровня диффузанта, 6 – поверхность испарения диффузанта, 7 –патрубок ввода газа носителя аргона, 8 – патрубок вывода газа носителя и паров диффузанта, 9 – двойной запорный клапан на входе, 10 – двойной запорный клапан на выходе, 11 – канал сброса газа носителя и паров диффузанта в вытяжную трубу, 12 – фильтр Шотта, 13 – канал ввода реагентов:– PCl3+Ar, Ar (14), О2 (15) в рабочую кварцевую трубу.

Одной трубы явно не хватало. Было замечено улучшение результатов по МкТС после замены старой трубы на новую. Насыщение поверхности кварца парами P2O5 создавало свои проблемы и увеличивало дефектность. И мы пошли на разделение процессов. Володя Чудаков и Вадим Марасанов исследовали процессы диффузии Р на своей трубе. Процессы для МкТС стали проводить в отдельной кварцевой трубе.

Непрерывно вносились усовершенствования в процессы диффузии и конструктивные решения газовых систем. Гордостью коллектива стал кварцевый прозрачный испаритель (питатель) диффузанта (рис. 17), предложенный Вадимом Марасановым. Он автоматически поддерживал зеркало испарения на постоянной высоте. Был использован принцип автопоилки для птиц. Малый поток азота через испаритель контролировался с помощью нашего ротаметра с поплавком облегчённого типа, сделанным из папиросной бумаги, пропитанной химически стойким лаком (ХСЛ). Поплавки клеила Анна Луканова. Смешение газов и реагента обеспечивалось перед входом в реакционную зону с помощью керамического тонкого фильтра Шотта. Температуру испарителя поддерживали постоянной в сосуде Дьюара, заполненном кусками льда и водой.

Групповые скопления дефектов (фосфорно-силикатное стекло) и точечные дефекты на поверхности кремния.

Рис. 18. Групповые скопления дефектов (фосфорно-силикатное стекло) и точечные дефекты на поверхности кремния.

Оптимизация всей совокупности параметров процесса позволила исключить не только групповые (рис. 18) скопления дефектов, но и отдельные включения. Вскоре удалось подтвердить блестящие результаты и на рабочих тестовых ТС ИС100 с нашими диффузионными эмиттерными и коллекторными слоями. С последними пришлось тоже изрядно повозиться. Здесь понадобилось большое терпение и выдержка Лукановой Анны.

Внедрение фосфора в неактивной (неионизированной) форме даже при низкой температуре диффузии было очень существенным. Приходилось удалять его из приповерхностного слоя путём многократного кипячения в азотной или серной кислоте, с последующим удалением образовавшегося окисла. Здесь проявила себя Людмила Антонова.

Было получено большое семейство достоверных зависимостей ρS2 – (слоёв после определённого числа операций химического удаления неактивного фосфора и последующего диффузионного отжига) в функции от ρS1 – (после первой стадии диффузии фосфора). В этой ситуации важно было обеспечить воспроизводимые процессы диффузии фосфора на первой стадии [9].

На рис. 19 приведены в качестве примера итоговые результаты экспериментов, первоначально заложенных в отделе Малина, а затем дополненных уже в лаб. №23 НИИМЭ при использовании групповых процессов диффузии и жесткого контроля режимов автоматизированных процессов диффузии [9]. Мечта Б.В. Малина сбылась.

Как видно из рис. 19, параметры ρS и xj могут быть целенаправленно изменены в достаточно широком диапазоне при сохранении малого разброса. Параметры процессов:

Зависимости ρS и xj (□) – Ar(PCl3) = 30 см3/мин, O2 = 110 см3/мин,

Зависимости ρS и xj (Δ) – Ar(PCl3) = 60 см3/мин, O2 = 90 см3/мин/

Расход аргона разбавителя Ar = 680 см3/мин,

t1 =2 мин – время выдержки пластин без напуска паров диффузанта (Ar+O2),

t2 = 20 мин – время подачи паров диффузанта через реакционную зону (Ar+O2).

Зависимости параметров предварительного отжига в остаточной атмосфере с парами диффузанта при различных значениях расхода кислорода и аргона через испаритель

Рис. 19. Зависимости параметров ρS и xj от времени t3 предварительного отжига в остаточной атмосфере с парами диффузанта при различных значениях расхода кислорода и аргона через испаритель.

В итоге после исследований процессов диффузии в отделе были изготовлены кристаллы ИС100 с высоким коэффициентом выхода годных транзисторных структур (рис. 20, 21).

Кристалл ИС100 на позолоченной рамке для измерения ВАХ структур на кристалле помощью W зондов.

Рис. 20. Кристалл ИС100 на позолоченной рамке для измерения ВАХ структур на кристалле помощью W зондов.

От алундового бокса к интегральным схемам ИС100 в корпусе

Рис. 21. От алундового бокса к интегральным схемам ИС100 в корпусе:
1,2 – крышка и основание алундового бокса, 3 – типовая рабочая пластина Si ø31 мм, 4 – пластина Si с тестовыми структурами, 5 – пластина Si зонной плавки ø25 мм, 6 – рамка выводная с кристаллом ИС100, 7 – ИС100 в корпусе.

Награда за трудовые успехи.

Ходом работы непрерывно интересовались директор А.Ф. Трутко и начальник отдела Б.В. Малин Результаты были высоко оценены ими. И инженер Луканов (с окладом 100 руб.) был переведен приказом по институту на должность старшего инженера (с окладом 140 руб.). Всем коллективом дружно и весело отметили существенную прибавку к моей зарплате.

За достигнутые успехи по работе сотрудники Н. Луканов и оператор Александр Истомин получили реальную возможность отдохнуть от дел праведных, налюбоваться удивительно красивой заснеженной природой и надышаться чистейшим воздухом на высокогорном лыжном курорте в солнечном Домбае.

Здесь с ними произошло необъяснимое для других приключение: – они вдруг пропали, – потом их долго искали, и, наконец, нашли – они лопатами откапывали в снегу хижину для ночлега (Рис. 22).

Лыжные прогулки в горах Домбая в 1964 году двух сотрудников п/я 281 Истомина А. (в очках) и Луканова Н.

Рис.22. Лыжные прогулки в горах Домбая в 1964 году двух сотрудников п/я 281 Истомина А. (в очках) и Луканова Н. – без рубашки (пятый с края, обозначены снизу стрелкой) проходили вполне типично. И вдруг они исчезли из поля зрения, – и группа пошла на поиски беглецов...

Внедрение результатов на заводе.

Для закрепления полученных в отделе положительных результатов Б.В. Малин направил Н. Луканова в цех к Митрофану Ивановичу Саблину для внедрения процесса диффузии Р из жидкого источника диффузанта. Большую и эффективную поддержку по внедрению процессов диффузии оказывала энергичная и опытная сотрудница цеха Валентина Андреевна Типаева. Здесь лицом к лицу я и встретился с Председателем Совмина и членом Политбюро Алексеем Николаевичем Косыгиным, действительно болевшим за новое дело. Там-то он и ввёл новую должность инженера-оператора, с целью материального поощрения инженеров. Первым таким “поощренцем” стал Энвер Фаттахов – будущий сотрудник кафедры ФТИМС в МИЭТ.

Не хлебом единым сыт человек.

Успехи окрылили нас и сделали немного дерзкими. Мы решились на розыгрыш и придумали изобретение: «Диффузия бора из трибарана при комнатной температуре с ускоренной активацией процесса при воздействии кавитационных пузырей ультразвукового облучения». Вначале розыгрыш удавался, затем мы получили нагоняй от самого Малина и обратили свою энергию в цех. Начальник цеха тов. Митрофан Иванович Саблин был очень ответственным руководителем своего коллектива и старался быстро решать любые встающие проблемы. Однажды на оперативном совещании, когда он призвал срочно выполнить поставленную свыше задачу, кто-то из наладчиков громко и с досадой бросил возглас: “Мы не сможем этого сделать, так как у нас по стене протекает кислота, она разъедает краску и воняет”. Саблин торжественно выставил и круто загнул вверх свой большой палец и громогласно отчеканил: “Мы всё сделаем, чтобы выполнить план правительства, и у нас не будет вонять (и добавил пахнуть) кислотой!”. Через несколько часов злополучная проблема была решена. Также быстро решались и остальные всплывающие вопросы, а их всегда было много в новом деле. Молодость брала своё, а на трудностях не очень акцентировались.

Прошло время интенсивных творческих поисков, и вдруг некоторые из нас почувствовали на своей коже, что мелочей в ТБ нет и не должно быть. Это случилось летом 1965 года при новом начальнике лаборатории Александре Михайловиче Косогове, невольно оказавшемся вовлечённым в разыгравшиеся события. По коридору отдела шли несколько сотрудниц в белых халатах, кто-то из них нёс кварцевую колбу с плоским дном. В колбу, объёмом не менее литра, был залит жидкий диффузант PCl3, предназначенный для производственного участка. Вдруг все остановились и стали рассматривать колбу на просвет. Моя сестра Анна стала громко звать меня, с тревогой в голосе, говоря о каких-то выделяющихся пузырьках. Я быстро подбежал, поднял колбу к глазам, а она взяла и взорвалась у меня в руках. Клубы белого дыма заполнили весь коридор, видимость была почти нулевая, я направился вниз по лестнице к воде, кругом слышались встревоженные возгласы и недоуменные вопросы нового начальника. Потом последовала команда открыть все окна и покинуть помещения. Мне повезло, что дно было плоским – его выбило первым, как наиболее слабое звено, – в первые мгновения пробка, на моё счастье, выдержала давление, – пары и жидкость обожгли мне только ноги. Сестра Анна не растерялась, догнала меня и помогла смывать кислоту. Потом оказалось, что при заливке PCl3 в колбу с потолка вытяжного шкафа упал маленький кусочек твёрдой краски. После этого уже все заговорили о ТБ и заливать диффузант стали в специальном малом боксе в инертной атмосфере.

Позже весной 1966 года, работая уже в НИИМЭ, я узнал как погиб в Англии талантливый начальник лаборатории нашего института В.А. Стружинский – специалист по ионному легированию, трудолюбивый и внимательный человек. Он погиб от взрыва ампул с жидкими источниками диффузанта BBr3 в процессе смывания с них зарубежных этикеток. Погиб по причине нарушения элементарных правил ТБ. Он то уж точно, знал о взрыве PCl3 в отделе у Б.В. Малина. Остался открытым вопрос: “Зачем они к оборудованию закупили ещё и ампулы с BBr3?” Процессы диффузии бора с этим реагентом были уже внедрены у А.Ф. Трутко ещё летом в 1965 году, а в конце 1965 г. они уже применялись и при выпуске изделия «Плоскость» на предприятии «Компонент» в г. Зеленограде.

А.Ф. Трутко через своего зам. директора Ефима Борисовича Гурвича предложил мне поработать в цехе главным технологом. Я вежливо отказался, сославшись на то, что уже принял решение перейти на работу в Зеленоград. Главным технологом планировали назначить Бориса Иосифовича Гольдшер, с которым у меня были хорошие рабочие отношения.

В “Пульсаре” я впервые познакомился с будущим своим директором Камилем Ахметовичем Валиевым и начальником сектора №2 НИИМЭ Юрием Николаевичем Дьяковым. Будущие академики не только знакомились со схемами ИС100, но и осуществляли подбор кадров для своего предприятия. В поле их зрения попал и я. Они предложили организовать новую лабораторию по перспективным диффузионным процессам и СВЧ транзисторным структурам. Так осуществилась моя мечта, и город Зеленоград стал реальностью [8].

Надо отдать должное государственной позиции директора А.Ф. Трутко, который не только не препятствовал передаче ценного опыта специалистам других институтов, но и не отказывал молодым специалистам переходу в Зеленоград. Более того, он посоветовал мне, уже зная, что я собрался уходить, продолжать посещать элитные курсы английского языка. До меня в Зеленоград перешли Роберт Дмитриевич Тихонов – специалист по твёрдым схемам на основе германия, Аркадий Владимирович Емельянов– будущий известный ученый по приборам на арсениде галлия. Потом – Виталий Дарашкевич (будущий чемпион СССР по самбо). Перешли работать в НИИМЭ Крамаренко Олег, Лукьянова Галина, Чудаков Владимир. Ушёл и Игорь Абашков, с которым я плохо, но беседовал на английском. Пройдя практику в отделе Б.В. Малина, перешли работать в Зеленоград будущие отличные специалисты в области микроэлектроники и мои хорошие товарищи по работе – Струков Вячеслав, Парменов Юрий, Фаттахов Энвер, Марасанов Вадим, Чутуев Джемаль Амарович, Кремлев Вячеслав, Горбунов Юрий, Старосельский Виктор.

Подводя итоги работы.

Можно сказать, что уже в январе 1964 года в НИИ-35 (НИИ «Пульсар») при разработке микромощных транзисторных структур и первых отечественных функциональных твёрдотельных схем ИС100 нами впервые в микроэлектронной практике был разработан и исследован новый процесс диффузии фосфора. Было показано явное преимущество жидких источников диффузанта для достижения однородного и контролируемого легирования тонких приповерхностных областей кремния с внедрением минимального количества примеси в неактивной форме и, как следствие, структурных дефектов типа дислокаций и преципитатов. Зарубежный опыт, как положительный, так и отрицательный, явился своеобразным катализатором в отечественной практике и помог быстрее и лучше освоить планарную технологию. Все это позволило нам уже в 1966 г. в НИИМЭ начать работы по постановке прецизионных полуавтоматизированных диффузионных процессов и воспроизводимо получать МкТС [9], те самые структуры, для реализации которых и начинались взрывоопасные процессы. Впервые в отечественной и, вероятно, в зарубежной практике, уже в 1967 г. в НИР «Ингредиент» [9, 8] были получены ультратонкие транзисторные структуры (УТС) с диффузионными активными эмиттерными (30 нм) и базовыми (50 нм) областями с очень резкими профилями легирования. Такие структуры в настоящее время принято называть структурами с наноразмерными элементами по вертикали. Работы по автоматизации и созданию УТС в лаборатории №23 НИИМЭ сразу вышли на первый план. Этому способствовали следующие обстоятельства. Во-первых, не было известно, кто делал такие структуры, – и это возбуждало желание быть впереди. Во-вторых, запретный плод был слишком сладок, а висел он так близко. В-третьих, о возможных проблемах как-то не думалось, – да еще и не было опыта горьких неудач. В-четвёртых, подстёгивал наш удачный опыт, полученный в НИИ “Пульсар” по разработке МкТС и ИС100. И, наконец, в экспериментальном плане лаборатория в течение пяти лет имела почти полную свободу выбора направлений поиска и большие возможности. Однако, следовало ожидать, что проблемы будут и будут не только у разработчиков [8].

Свое особое мнение к копированию зарубежных аналогов высказал в статье [10] Казеннов Г.Г., проходивший стажировку в отделе Б.В. Малина. Ему принадлежит крылатая фраза: “Я знаю только один случай полного копирования зарубежной схемы SN-51, да и то неудачный”.

Краткие воспоминания о разработке первых отечественных микросхем, функционально воспроизводящих ИС фирмы Texas Instruments серии SN-51, оставил и сам Б.В. Малин [11]. В статье [12] он отметил: “Действующие схемы из НИИ-35 были продемонстрированы министру МЭП А.И Шокину в 1965 году, опытное производство подготовлено в специальном цехе НИИ-35 в 1964 году, серийный выпуск освоен на Фрязинском опытном заводе с военной приёмкой в 1967 г. Основным заказчиком был комплекс М.С. Рязанского, где схемы устанавливались в баллистические ракеты, в аппаратуру для посылки на Луну и Марс”.

В книге «Пульсар» [13] можно прочитать: – о дальнейшей судьбе отдела №5 Б.В. Малина (с. 78); – о прекращении в институте и в цехе взрывоопасных процессов диффузии из жидких источников диффузанта после передачи разработки ИС100 во Фрязино (с. 67); – о трудностях, возникших с постановкой новых безопасных процессов диффузии (с. 67); – о повторном, (но уже вынужденном крайней необходимостью), возрождении через много лет процесса диффузии фосфора из жидкого источника диффузанта при разработке СВЧ ТС на тонких диффузионных слоях (с. 68).

Зарубежная информация по особенностям диффузии фосфора из PCl3 появилась только в конце 1969 года [14].

Литература

  1. Красилов А.В. , Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов, изд-во «Энергия», 1964.
  2. Иглицин М.И., Концевой Ю.А., Сидоров А.М. Время жизни неравновесных носителей заряда в германии при произвольных уровнях инжекции // ЖТФ, 1957, т. 27, вып. 11, стр. 2461.
  3. Самохвалов М.М., Тиходеев Ю.С. Температурная зависимость некоторых частотных параметров дрейфовых транзисторов. Сб. «Полупроводниковые приборы и их применение», вып. 5, изд-во «Советское радио», 1960, стр. 83-95.
  4. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И., Мильвидский М.Г. Подвижность электронов в сильнолегированном кремнии // ФТТ, 1963, т. 5, № 3, стр. 921–927.
  5. Диковский В.И. К вопросу о создании триодной структуры методом двойной диффузии примесей в кремнии из паровой фазы // Вопросы радиоэлектроники, серия II, Полупроводниковые приборы. Выпуск 4, 1962, стр. 9—24.
  6. Колосов А.А. и др. Полупроводниковые твердые схемы. Под общ. ред. А.А. Колосова. Изд-во «Советское радио», 1965.
  7. Луканов Н.М. Планарная технология. ВИНИТИ. Итоги науки и техники. Электроника и ее применение. 1965., стр. 74—94.
  8. Луканов Н.М. Некоторые малоизвестные моменты из истории отдела 22 НИИМЭ // Электронная техника, Серия 3, Микроэлектроника. Выпуск 1(152), 1998. стр. 49—57.
  9. НИР “Ингредиент”. Разработка режимов получения воспроизводимых тонких диффузионных слоев с низкой концентрацией примеси // –М.: – НИИМЭ, –1967. – 228 с. Гл. конструктор – Луканов Н.М. (см. [8]).
  10. Казеннов Г.Г. «Если ты будешь заставлять меня копировать американские схемы, я уволюсь» // в кн. Зеленая ветвь Москвы Зеленоград до 2003 года. Очерки, воспоминания, размышления, зарисовки. –М.: 2008. – с. 90—91. ООО «Зеленоградский Полиграфический центр».
  11. Малин Б.В. Создание первой отечественной микросхемы // Виртуальный музей компьютерный (Интернет). Статью подготовил А. Осипов.
  12. Малин Б.В. Место для Зеленограда выбрала Москва. Хрущев выделил на строительство Научного Центра четыре тонны золота // в кн. Зеленая ветвь Москвы. Зеленоград до 2003 года. Очерки, воспоминания, размышления, зарисовки. –М.: 2008. – с. 64—66. ООО «Зеленоградский Полиграфический центр».
  13. «ПУЛЬСАР». Прошлое… Настоящее… Будущее...Очерки об истории полупроводниковой электроники / Под ред. А.Г. Васильева. –М.: Техносфера, 2008. – 296 с. + 32 c. цв. вклейка. ISBN 978-5-94836-179-6.
  14. Tsai J.C.C. Shallow phosphorus diffusion profiles in silicon // Proceedings of the IEEE. Sept. – 1969. – V.57. – №9. – p. 1499-1506.

Об авторе: Луканов Николай Михайлович, ведущий научный сотрудник ФГУ НПК «Технологический центр», МИЭТ.
Луканова Анна Михайловна, старший лаборант отдела 11 п/я 281 с 23.10.1964 г. по 01.11.1966 г., техник КБПМ 01.07.1967 г. по 20.11.1968 г.
Помещена в музей с разрешения автора 6 Мая 2017

Проект Эдуарда Пройдакова
© Совет Виртуального компьютерного музея, 1997 — 2017