Русский | English   поискrss RSS-лента

Главная  → История отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ)  → История создания первой отечественной интегральной схемы памяти с полной диэлектрической изоляцией на сверхтонких слоях, локально легированных золотом

История создания первой отечественной интегральной схемы памяти с полной диэлектрической изоляцией на сверхтонких слоях, локально легированных золотом

Вот так, с трудом пытаясь развивать
Как бы клубок какой-то сложной пряжи,
Вдруг и увидишь то, что должно называть
Бессмертием. О, суеверья наши!

Николай Заболоцкий

Идею написания статьи по истории создания первой отечественной интегральной схемы памяти с полной диэлектрической изоляцией мне впервые подсказал инженер НИИ Молекулярной Электроники (НИИМЭ), руководитель музея истории предприятия – Олег Иванович Бочкин, мой хороший товарищ и соратник по совместной работе по изделию НИР “Моноблок” и ОКР “Моноблок 2”. Олег был начальником лаборатории механической обработки пластин кремния НИИМЭ. Он отвечал за комплекс процессов резки, шлифовки и полировки, включая и ультратонкую алмазную полировку. Главным конструктором разработки изделия памяти был начальник конструкторского отдела №2 НИИМЭ Юрий Николаевич Дьяков, в последние годы Генеральный Директор НПО “Научный Центр”. В статье о НИИ «ПУЛЬСАР» я вспоминал, что Дьяков и директор НИИМЭ К.А. Валиев посетили меня неожиданно, в самый разгар разработки первых отечественных твёрдотельных ИС 100.

А сейчас Дьяков также неожиданно возник в аудитории № 4201 на территории Учебно-технологической лаборатории (УТЛ) кафедры ИПС Валиева Камиля Ахметовича. Сотрудницы УТЛ – операторы успели уже встать за установками и выглядели на отлично. Гоголь Валентина Николаевна что-то высматривала в окулярном микроскопе на измерительном стенде. Спиридонова Ира застыла в эффективной позе с кварцевым крючком в руках на операции загрузки пластин кремния в рабочую зону старой однотрубной диффузионной печи. Ю.Н. пошутил: “Эту старую диковинку выбросим, здесь поставим новые четырёхтрубные однозонные печи, а на этом месте воздвигнем чистую зону. Начнём делать ИС памяти. Пришлю планировщиков и рабочих, сделаем новую Учебно-научную лабораторию (УНЛ), а Луканов Николай Михайлович воспроизведёт на новом уровне свой “С”-профиль – сверхтонкие структуры”. Для дальнейшей ясности впервые приведу отдельно цветную фотографию УНЛ. Вместе Фото УТЛ и УНЛ для сравнения были даны редактором-составителем А.А. Руденко в книге «МИЭТ 50 лет Годы люди события» на странице 333.

Чем же интересна эта схема памяти Дьякова? И почему она объединила усилия большого количества инженеров и главных специалистов различного профиля, директоров и организаторов МЭП СССР. Работая в НИИ “Пульсар” мне довелось переводить патент США по созданию ИС на структурах с полной диэлектрической изоляцией. Тогда эта технология казалась очень сложной, но и очень заманчивой. Образно говоря словами поэта ИС мыслилась “Как бы клубок какой-то сложной пряжи”.В НИИМЭ Ю.Н. Дьяков (рис.1), предложил мне сделать анализ возможной реализации этой технологии. Молодость и авантюрный азарт сделали своё дело, и я оказался в плену модной идеи: “Вдруг и увидишь то, что должно называть Бессмертием. О, суеверья наши!” Юрий Николаевич оказался человеком с железной хваткой и с упорством хорошо отлаженной машины. Работа закипела. А я получил мощную поддержку, доверие и эффективную помощь. Блажен, кто верует.

Ю.Н. Дьяков оказался человеком с железной хваткой и с упорством хорошо отлаженной машины. Статья Луканова Н.М.

Рис.1. Ю.Н. Дьяков оказался человеком с железной хваткой и с упорством хорошо отлаженной машины. (В узком кругу сотрудников между собой мы его звали интеллектуальным роботом).

Юрий Николаевич не только организовал команду конструкторов исполнителей по ряду работ, но и сам принимал активное участие в их разработке. В ВКМ размещен ряд моих статей по разработке в НИИМЭ исследовательских установок и диффузионных систем, в которых оставил свой след Ю.Н. Дьяков Разработка структур с полной диэлектрической изоляцией – как в фокусе характеризует потенциал этого человека, прошедшего путь от простого инженера до руководителя промышленной отрасли микроэлектроники в Зеленограде. Мне улыбнулась фортуна, и я оказался в сфере влияния этого человека.

Ниже даны названия некоторых статей, размещённых в Виртуальном компьютерном музее.

21.01.2018. В разделе «Документы и публикации / Материалы Международной конференции Sorucom-2017» мы публикуем доклад Вернера В.Д., Луканова Н.М. и Саурова А.Н. «История развития конструктивно-технологических базисов перспективных трёхмерных ИС СВЧ гигагерцового и терагерцового диапазона». Публикуется с разрешения авторов.

11.07.2017. В разделе «Электронная библиотека» мы представляем вашему вниманию статью Луканова Н.М. «Создание в НИИМЭ первых сверхбыстродействующих ИС ЭСЛ типа на основе самосовмещённых и сверхтонких структур для противоракетного щита России». В статье рассматриваются различные аспекты и этапы формирования противоракетного щита России за счёт создания первых сверхбыстродействующих ИС ЭСЛ типа на основе самосовмещенных и сверхтонких структур. Успехи, достигнутые в НИИМЭ в 1966-1975 гг., – в процессе разработки сверхбыстродействующих ИС для высокопроизводительных моделей ЕС ЭВМ (“Ряд-2”), систем автоматики, работающих в реальном масштабе времени, – для системы “Эльбрус-2”, а также специализированных систем обработки сверхбольших массивов информации, получаемых с космических объектов, – действительно очень впечатляли. Публикуется в формате pdf, 1.12 Мб.

29.06.2017. В разделе «Предприятия и НИИ» мы представляем вашему вниманию статью Луканова Н.М. «Некоторые малоизвестные моменты из истории отдела 22 НИИ молекулярной электроники». Публикуется с разрешения автора. Также в разделе «Предприятия и НИИ» добавлены статьи про НИИМЭ - НИИ молекулярной электроники, г. Зеленоград.

20.05.2017. В разделе «Галерея славы» мы публикуем статью Н.М. Луканова «Создание первых сверхбыстродействующих ИС ЭСЛ для ЭВМ «Ряд-2» и «Эльбрус-2» - противоракетного щита России» из сборника «Академик К.А. Валиев в воспоминаниях». Публикуется в формате pdf, 897 Кб.

06.05.2017. В разделе «Предприятия и НИИ» мы публикуем статью Н.М. Луканова >А.М. Лукановой Разработка новой технологии для первых отечественных функциональных твердых схем ИС100 в ФГУП НПП «Пульсар»». В статье приведены некоторые штрихи к истории разработки в 1964 году новой технологии для первых отечественных функциональных твердотельных схем ИС100, воспроизводящих ИС фирмы Texas Instruments серии SN-51. Публикуется с разрешения авторов с небольшими сокращениями.

Разработка структур с полной диэлектрической изоляцией

На рис.2,а приведена микрофотография ИС ОЗУ на всей пластине исходного монокристаллического Si диаметром 24 мм с малым исходным уровнем дислокаций (островки моно-Si имеют более светлый вид на фоне поликристаллического Si*). Работа проводилась по НИР «Моноблок» и ОКР «Моноблок-2». Главный конструктор Дьяков Ю.Н., зам. гл. конструктора по технологии – Луканов Н.М.). Схемотехнику разработал талантливый инженер Д.О. Чутуев. Он же потом разработал схемотехнику ассоциативной АЗУ.

Микрофотография ИС ОЗУ на круглой пластине Si

Рис.2, а. Микрофотография ИС ОЗУ на круглой пластине Si.

ИС ОЗУ в корпусе

Рис.2, б. ИС ОЗУ в корпусе.

Локальные структуры имели полную диэлектрическую изоляцию на основе плёнки термического диоксида кремния SiO(на фото имеют светлый фон по верхнему волнообразному контуру локальных островков моно-Si) и формировались уже по нашему отечественному ЭПИК – процессу на сверхтонких диффузионнных слоях с заполнением щелевых канавок поликремнием Si*. Алмазную шлифовку и полировку осуществлял Олег Иванович Бочкин. Селективное легирование диодов золотом (по нашему авторскому процессу с защитой обратной стороны пластины плёнкой пиролитического диоксида кремния SiO) после алмазной полировки давало неожиданно малые токи утечки. Впервые ИС создавались на всей пластине Si и фактически представляли БИС ОЗУ на кристалле круглой формы. Также впервые при сборке был применён отечественный круглый корпус с количеством выводов 48 штук (рис. 2,б).

В 1988 г. подход к созданию БИС на одном кристалле моно-Si со стороной 10—15 мм был предложен в СССР по конкурсной работе ППИ НПО "НЦ" И.В. Бергом, американцем по происхождению, но при использовании концепции мини-фабрики модульного типа, созданному им уже в СССР, в Ленинграде.

Наш процесс локальной диффузии золота был также успешно внедрён в цех завода “Микрон” на изделиях ТТЛ ИС серии 133 в отделе В.Я. Контарева.

Сложная технология изготовления ОЗУ с полной диэлектрической изоляцией была пригодна для создания функционально интегрированных ИС и особенно БИС следующего поколения. Упрошенный вариант этой технологии был положен нами для изготовления сверхбыстродействующих схем эмиттерно связанной логики (ЭСЛ) типа серий 100, 500 и 700. Эти схемы не требовали диффузии золота и имели простую схему изоляции р-п переходами. Таким образом, и здесь Ю.Н. Дьяков оставил свой след. Не только оставил свой след, но и подписал мне Акты о приоритете и внедрении ИС сверхбыстродействующих серий 100, 500 и 700 и даже быстродействующей серии К138.

Через несколько лет в МИЭТ сотрудниками кафедры ФТИМС и ОНИЛ УПЛ были разработаны локальные структуры монокремния при лазерном отжиге тонкой плёнки поликремния (научный руководитель М.А. Королев).

Одно из новых направлений конструктивно технологического развития на кафедре было связано с созданием перспективных технологических маршрутов на кремнии, с разработкой ИС на сверхтонких (СТС) и ультратонких (УТС) структурах, реализуемых на отечественных принципах целенаправленного формо- и структурообразования (по новой терминологии процессов самосовмещения и самоформирования) с применением новых методов литографии, включая и косвенные методы субмикронной и нанолитографии, в том числе с применением псевдолитографических масок. Эти структуры предназначались для создания сверхбыстродействующих ИС, субнаносекундных ИС, а в перспективе, – ультрабыстродействующих ИС, гигагерцовых и терагерцовых систем обработки информации. Курирование этого направления работ и постановку новых процессов диффузии, ионного легирования и пиролитического осаждения диэлектриков при низком давлении реагентов осуществлял зав. ОНИЛ, затем начальник УПЛ, начальник нового ОНИЛ и сотрудник НПК ТЦ Н.М. Луканов.

История создания первой отечественной интегральной схемы

В УТЛ на оборудовании, созданном силами кафедры, проводилось изучение отдельных технологических процессов и оригинальных структур, изготовленных с участием студентов и аспирантов. Этими работами руководили Королев Михаил Александрович, Глазов Владимир Николаевич, Ревелева Марина Алексеевна и Игнатьев Виктор Васильевич. Вместе с Лукановым Н.М. они выпустили учебное пособие «Конструктивные и технологические особенности производства биполярных интегральных схем». –М.: –МИЭТ. 1978. В этом пособии Луканов представил сверхтонкие транзисторные структуры.

На фото УНЛ (по терминологии В.Д. Вернера) приведена первая чистая комната в аудитории №4201, изготовленная по указанию Ю.Н. Дьякова специалистами НИИМЭ и сотрудниками МИЭТ с привлечением студентов и преподавателей кафедры. Постоянный контроль и активно участие за ходом строительства принимал лично Юрий Николаевич. Он глядел далеко вперёд и знал, что в этой чистой комнате для важного заказчика будут изготовлены и его схемы памяти. Судьба плетёт свои сети по своим законам.

Фотография УНЛ

Фотография УНЛ

В чудо комнате размещалась немецкая установка фотолитографии фирмы «Карл Цейс», а на боковой стенке висела ажурная и прозрачная самодельная система очистки воды из синтетического ленинградского кварца завода «ЛОМО» с узорными дефлегматорными колонками для финишной очистки воды и отмывки пластин в дважды дистиллированной воде (бидистилляте). Такую же установку мне пришлось после 1979 г. внедрить в НИИ “Автоматика”. Здесь я понял для кого Дьяков старался делать свои схемы памяти.

Хозяйка этого сверкающего прозрачного чистого зала, – Гоголь Валентина Николаевна, – отвечала за участки и процессы химии и фотолитографии, дотошно учила студентов проведению процессов строго по технологическим картам с соблюдением техники безопасности.

С боковой стороны комнаты были герметично врезаны четырёхтрубные диффузионные печи, переданные нам из НИИМЭ и переделанные нами для проведения новых процессов диффузии бора и фосфора с применением жидких источников диффузанта BBr3 и PCl3. Студенты кафедры в белых халатах дополняли космический вид зала. Тихое жужжание форвакуумных насосов на фоне шума вентиляционных систем создавали рабочую атмосферу.

Первую дипломную работу в 1975 году (научный руководитель Луканов Н.М.) по разработке наносекундных транзисторных биполярных структур на кремнии с относительно высоким уровнем самосовмещения и самоформирования для ЭСЛ ИС на сверхтонких слоях («С» – профиль легирования) выполнил Александр Эмилиевич Нестеров, – студент кафедры ИПС и будущий директор НИИМЭ. Судьба снова сводила меня с интересными людьми.

Впервые в МИЭТ Агафонцев В.Ф., Лапшинов О.Н. и Луканов Н.М. провели моделирование и выполнили расчёт диффузионного профиля мышьяка в кремнии с учетом влияния ряда внутренних факторов [6]. В 1976 г. на диффузионных печах кафедры были исследованы и отработаны воспроизводимые процессы диффузии мышьяка в вакууме с применением гомогенного источника диффузанта, полученного впервые с применением сверхчистых материалов Si, As, J2 новым методом газотранспортных реакций [7]. Метод был применен для формирования сверхтонких совмещённых структур [8]. Этот процесс в 1977 г. был успешно внедрён авторами изобретения на заводе «Микрон» на изделиях ИС серии 100.

В 1979 г. на базе этого участка в интересах Министерства промышленности средств связи (МПСС CCCР) была изготовлена оригинальная ИС «коммутационная матрица» на основе сверхтонких тиристорных биполярных структур с полной диэлектрической изоляцией. (Акты №№ 16,17 приведены также в первом экземпляре докторской диссертации Луканова Н.М.,). Нужно отдать должное молодому инженеру Сергею Воронову, отвечавшему за реализацию маршрута этой ИМС, и проявившего большое терпение в работе для обеспечения заданных в ТЗ параметров. Необходимо было установить достоверное соотношение между общей концентрацией примеси и ионизированной концентрацией этой примеси, задающее значение коэффициента передачи эмиттерного тока, определяемого эффективностью эмиттера [9], а также – между общей концентрацией примеси и эффективной собственной концентрацией носителей заряда [10]. Естественно, надёжность этих демонстрационных единичных образцов ИМС, изготовленных на кафедре ИПС, да ещё на сверхтонких слоях, могла быть поставлена под сомнение. Работы зарубежных авторов усугубляли эти сомнения. Чтобы доказать, что схемы надежные и серийно способные, Н.М. Луканов (по согласованию с руководством) временно в 1979 году переходит работать Главным технологом в НИИ «Автоматика» с целью внедрить эту технологию в производство и заодно разобраться с проблемой зависимости эффективной собственной концентрации носителей заряда от общего уровня легирования [10,9]. Переход давал возможность подумать над этой проблемой и попытаться решить её.

История создания первой отечественной интегральной схемы История создания первой отечественной интегральной схемы

Учебно-производственная лаборатория кафедры ФТИМС (УПЛ) на пути к НПК «Технологический центр» МИЭТ

Между тем мировая электроника уже делала свой новый исторический шаг в направлении создания специализированных сверхбыстродействующих ИС, БИС и УБИС.

И кафедра с новым названием «физика и технология интегральных микросхем» (ФТИМС) начала готовиться к новому этапу разработки субнаносекундных ИС [по терминологии США сверхскоростных ИС (ССИС), специально разрабатываемых для систем опережающего удара в воздухе].

Решение Коллегии МЭП СССР по этому вопросу было представлено так: «Решение Коллегии Министерства электронной промышленности (МЭП) № 57 от 01 октября 1981 года о создании в МИЭТ учебно-производственной лаборатории (УПЛ) для разработки субнаносекундных микросхем в интересах МЭП СССР».

профессор, доктор физ.–мат. наук Виталий Дмитриевич Вернер

Кафедру ФТИМС в это время возглавлял проф., доктор физ.–мат. наук Виталий Дмитриевич Вернер, – специалист по ионному легированию и физике полупроводниковых приборов, отлично знающий специфику работы в учебном институте. В.Д. Вернер предложил оригинальный проект УПЛ [1] с чистыми комнатами на базе объединения двух смежных аудиторий и, что особенно важно, системами комплексного и независимого энергообеспечения. При этом предстояло одновременно решать ряд сопутствующих проблем:

Стало ясно, что, начиная работать над проектом УПЛ с этими дополнительными условиями, необходимо нацеливаться уже в ближайшей перспективе на создание специализированного НПК «Технологический Центр» [1,4].

Доктор технических наук Луканов Н.М. История создания первой отечественной интегральной схемы

В 1982 году на должность начальника ОНИЛ и начальника УПЛ был принят Луканов Н.М., переведённый из НИИ «Автоматика» по согласованию с дирекцией.

Проект был одобрен в НПО «Научный Центр» и был успешно реализован рядом предприятий отрасли. Жесткое и эффективное курирование работ возглавил генеральный директор НПО «Научный Центр» Ю.Н. Дьяков.

Коллектив участников этого проекта (Дьяков Ю.Н, Луканов Н.М., Муравин И.А., Прилипко В.И., Самсонов Н.С., Щекотов П.Д., Яковлев А.Т.) получил в 1986 году Золотую медаль ВДНХ. Первая публикация дана в краткой статье, приведенной в первом экземпляре докторской диссертации Луканова. Важно подчеркнуть. Тогда В.Д. Вернер вычеркнул себя из этого списка авторов, считая, что нужно указать только тех, кто принимал личное непосредственное участие в строительстве и запуске. Пример для подражания всем.

Действующая УПЛ была показано заместителю министра МЭП СССР В.Г. Колесникову. Фото  установки реактивно-ионного травления приведено в книге БИОГРАФИЯ ВУЗА МИЭТ, 50 ЛЕТ, стр.334.

Установка реактивно-ионного травления (из книги “Биография вуза. МИЭТ, 50 лет”, стр. 334)

Установка реактивно-ионного травления (из книги “Биография вуза. МИЭТ, 50 лет”, стр. 334)

Первые сотрудники УПЛ и ОНИЛ кафедры ФТИМС МИЭТ (1987 г.).

Первые сотрудники УПЛ и ОНИЛ кафедры ФТИМС МИЭТ (1987 г.).

Стоят: cтудент ?, Суханов В.C., Шевяков В.И.(в очках), Меликов Р.Б., Путря М.Г., Луканов Н.М. (в очках), Морозов Е.А, Муравин И.А., Чуканов М.И., Стешин С.А., Савельев А.Н. Сидят: Кудрявцева Н.В.(в очках), Середа Н.С., Райнова М.Ю., Огаркова Л.Г, Яровая Н.П.

Участники совещания руководителей ОНИЛ МИЭТ (июнь 1986 г.) на фоне МИЭТ и памятника министру МЭП СССР А.И. Шокину

Участники совещания руководителей ОНИЛ МИЭТ (июнь 1986 г.) на фоне МИЭТ и памятника министру МЭП СССР А.И. Шокину

Учитывая всё возрастающую ответственность НЦ за судьбы и перспективы отечественной микроэлектроники, при НЦ в 1987 г. было организовано подразделение перспективных исследований (ППИ), в задачу которого входило рассмотрение на конкурсной основе проектов в области микроэлектроники, превосходящих мировой уровень. Руководителем ППИ был д.т.н., профессор Станислав Александрович Гаряинов.

Был объявлен всесоюзный конкурс, создана межведомственная комиссия, состоящая из известных учёных. Председателем конкурсной комиссии был д.т.н. Ю.Н. Дьяков. В результате было рассмотрено много интересных проектов. 20 проектов было принято к реализации. Итоги работы комиссии ещё раз подтвердили, что в стране имеется колоссальный невостребованный научно-технический потенциал. Из принятых к реализации проектов следует отметить, например, разработанный аванпроект по созданию минифабрики для автоматизированного производства заказных и полузаказных БИС (главный конструктор Г.Х. Сатаров). Минифабрика предполагала непосредственно на предприятиях оборонных министерств разрабатывать и производить заказные БИС. Разработка этого проекта была финансирована генеральным конструктором академиком А.И. Савиным.

Литература

  1. Вернер В.Д. НПК «Технологический центр» МИЭТ – 20 лет. Штpихи к истоpии создания НПК “Технологический центp” МИЭТ // НАНО- и МИКРОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА, –№ 6, –2008. –с. 72-74.
  2. Луканов Н.М., Назаров С.И., Струков В.Н., Лебедев В.В., Немудров В.Г., Минин Е.С. Быстродействующие интегральные схемы на токовых ключах // Электронная промышленность. –М.: –1972. –№7. –с. 56 - 59.
  3. Ильчинский Е.С., Луканов Н.М., Орликовский А.А. Контроль импульсных параметров полупроводниковых СОЗУ // Электронная промышленность. - М. -1975.- №4.- стр. 50 - 55.
  4. Луканов Н.М. Некоторые малоизвестные моменты из истории отдела 22 НИИМЭ // Электронная техника. Сер. 3, Микроэлектроника. Выпуск 1(152). –1998. - с. 49-57.
  5. Научное издание РАН: АКАДЕМИК К.А. ВАЛИЕВ В ВОСПОМИНАНИЯХ // Статья: Луканов Н.М. Создание первых сверхбыстродействующих ИС ЭСЛ для ЭВМ «Ряд-2» и «Эльбрус-2» – противоракетного щита России. –c. 122-128. Изд-во «Наука». – М.: –2015.
  6. Агафонцев В.Ф., Лапшинов О.Н., Луканов Н.М. Расчет диффузионного профиля мышьяка в кремнии // Полупроводниковые приборы и ИС: сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники. –M.: МИЭТ, 1976. – Вып. 27. – с. 15–22.
  7. Лапшинов О.Н., Луканов Н.М. Мышьяковистый эмиттер // Полупроводниковые приборы и ИС: сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники. –M.: МИЭТ, 1976. – Вып. 27. – с. 23–32.
  8. Метод улучшения параметров совмещенных структур / Н.М. Луканов, О.Н. Лапшинов, В.А. Марасанов и др. // Полупроводниковые приборы и ИС: сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники. –M.: МИЭТ, 1976. – Вып. 27. – с. 33–39.
  9. Луканов Н.М. Методика измерения и расчета коэффициента передачи эмиттерного тока, ограниченного эффективностью эмиттера // Проектирование и применение полупроводниковых интегральных схем и полупроводниковых запоминающих устройств: сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники. –M.: МИЭТ, 1978. – Вып. 40. – с. 141–161.
  10. Луканов Н.М. Зависимость эффективной собственной концентрации носителей заряда от уровня легирования. Техника средств связи // Серия Микроэлектронная аппаратура. –М.: –1980. – Вып. 1. – с. 36-41.
  11. Lukanov N.M. Bipolar VLSI based on self-aligned transistor structures // Electronic Engineering. Ser. Microelectronics. – 1991. – Is. 1 (1). News from Soviet «Silicon Valley». – 1991. – pp. 54–55. –МИЭТ.
  12. Луканова Н.Н., Луканов Н.М. Конструктивно-топологическое проектирование самосовмещающихся субмикронных сверхтонкослойных транзисторных структур с улучшенными параметрами // Физика, технология и схемотехника СБИС: сб. науч. тр. –М.: МИЭТ, 1989. – с. 80–93.
  13. Луканов Н.М. Состояние и перспективы разработки конструктивно-технологической базы для сверхбыстродействующих БИС и СБИС // Итоги науки и техники. Сер. ЭЛЕКТРОНИКА. –М.: ВИНИТИ РАН, 1990. – Т. 27. – с. 3-32.
  14. Галушков А.И., Демидова Ю.Б., Луканов Н.М., Романов И.М. Особенности в распределениях концентраций бора и мышьяка в тонкослойных ВЧ структурах // Труды 8-й международной научно-технической конференции “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектрон. ПЭМ –2002”. – Таганрог, 2002. – с. 84-86.
  15. Галушков А.И., Демидова Ю.Б., Луканов Н.М., Путря М.Г., Рыбачек Е.Н. Влияние маскирующих слоев на геометрические параметры трехмерных элементов СБИС при реактивно-ионном травлении // Оборонный комплекс – научно-техническому прогрессу России. –М.: ФГУП «ВИМИ», 2001. –№1. – с. 7-11.

Об авторе: доктор технических наук
Помещена в музей с разрешения автора 1 Ноября 2018

Проект Эдуарда Пройдакова
© Совет Виртуального компьютерного музея, 1997 — 2018