Загадочная «Точка» и неизвестная «Плоскость»

Загадочная «Точка» и неизвестная «Плоскость»

Транзисторы, точечные и плоскостные, в нашей стране к концу 1955 г. серийно выпускали два предприятия. Опытный завод НИИ-35, п/я 281 Министерства радиотехнической промышленности, и лаборатория СКБ-245 Министерства машиностроения и приборостроения. Причём последнее выпускала приборы для внутриведомственного применения и только для использования в вычислительных, управляющих машинах и электронных моделях. Выпускало с середины 1952 г., как и было мной рассказано ранее. Одновременно с организацией серийного производства, СКБ-245 совместно с Московским заводом ʺСАМʺ начали разрабатывать схемотехнику применения новых полупроводниковых приборов, причём больше это касается транзисторов, поскольку в создаваемой с 1951 г. ЭВМ ʺСтрелаʺ уже применяли высоковольтные германиевые диоды.  

Позднее, вычислительные машины, сконструированные в СКБ-245 и выпускавшиеся не только в Москве, но и на других заводах ведомства, стали требовать сотни тысяч полупроводниковых приборов в год. Это существенно повлияло на процессы и время создания диодов и транзисторов. Имела значение экономика процесса. Только с увеличением рынка потребления полупроводников, главный потенциальный поставщик металлического германия и кремния, Московский институт редких и малых металлов (в настоящее время — ГИРЕДМЕТ), охотно стал заниматься  исследованиями в этой области.

Представьте такую ситуацию: с какими характеристиками требуется германий, — неизвестно, сколько в год нужно — неизвестно, что послужит исходным сырьём — неизвестно. Последнюю задачу очень профессионально, оперативно и качественно решил профессор Сажин Н. П. с коллегами. Он провёл большие по объёму исследования и в крайне сжатые сроки нашёл сырьё для получения германия. В надсмольных водах коксогазовых предприятий, Николаю Петровичу, удалось обнаружить небольшое количество этого металла, а поскольку сырьё имелось в неограниченном количестве, при грамотной организации извлечения всё сложилось как нельзя лучше. 

Несмотря на все сложности, по инициативе профессора Калашникова С. Г. из ЦНИИ-108 в 1949 г. начались подвижки и по другим непонятным на то время вопросам германиево-полупроводниковой тематики.

В Министерстве машиностроения чётко осознавали необходимость замены электровакуумных приборов полупроводниками и могли предложить всем заинтересованным сторонам, по сути, ёмкий и очень технологичный рынок сбыта для новых приборов. Здесь и кроется одна из причин, почему первые промышленные серийные высоковольтные диоды и точечные транзисторы были созданы в СКБ-245 и НИИ СЧЁТМАШ. Важность задач, которые решало в те годы СКБ-245 подчеркивает тот факт, что весь германий, имеющийся в стране в 1950 и 1951 гг. поступал в АН УССР и Министерство машиностроения. Остальные научные и производственные предприятия и организации получали его по остаточному принципу. 

Большая научная работа, проведённая академиком Лашкарёвым Вадимом Евгеньевичем,  его неоценимый опыт и знания в исследованиях полупроводников вообще и в технологии их производства в частности, имевшиеся у него ещё с довоенных времён,  хорошая производственно-технологическая база Министерства машиностроения в целом и творческая кооперация с ГИРЕДМЕТ,  позволили к середине 1950 г. заложить основы теории точечного контакта игла-германий и эффекта усиления в германиевом кристалле с двумя очень тонкими контактными проволочками, расположенными на расстоянии 0,05 мм. Благодаря этим фундаментальным исследованиям и удалось наладить серийное производство высоковольтных полупроводниковых германиевых диодов и точечных транзисторов.

американские транзисторы СК-703. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Предположу, что в Министерстве радиотехнической промышленности на тот момент не было чёткого понимания по использованию и применению новых приборов. Более того, на конференцию по германиевым приборам Лашкарёва Вадима Евгеньевича и инженеров СКБ-245 в ноябре 1951 г. не приглашали (фото 1). Примечательный факт из 1954 г. — инженеры НИИ-35 не знали, какая конструкция транзисторов у СКБ-245. В отличие от этого, специалисты Министерства машиностроения были знакомы с совершенно секретной, на тот момент, продукцией завода НИИ-35.

О конференции по германиевым приборам 1951 г. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 1

Для того, что бы конструкторы разрабатывали аппаратуру с использованием полупроводниковых приборов, последние надо было им предоставить. Надо знать все электрические параметры приборов и другую, не менее важную информацию. Не сразу увидели радиотехники общую картину и будущие перспективы новых приборов. Но научные исследования конечно проводили. Правительство, в лице Совета Министров подстёгивало, решая общегосударственные задачи. Ведь только в Америке точечные транзисторы в 1951 г. уже производили более 60 фирм. И военные ведомства уже в огромных количествах закупали аппаратуру на полупроводниках. Одним словом, сыграл фактор обеспечения безопасности страны.

Красилов Александр  Викторович, кандидат технических наук, руководитель лаборатории 173 НИИ-160 в апреле 1953 г. занимаясь в основном разработкой серийной технологии производства СВЧ-диодов, параллельно закончил научно-исследовательскую работу по теме «Точка» и представил Государственной комиссии 20 лабораторных образцов точечных триодов, представляющих из себя копию американских приборов СК-703 (фото 2).

Американские транзисторы СК-703. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 2

Официальное начало научно-исследовательской работе «Точка» было положено в 1952 г. приказом Министра (Министерства промышленности средств связи) МПСС Алексеенко Г. С. № СС-64 от 23 января. Приказ назывался  «О развитии НИР в области германиевых приборов». В свою очередь, этот приказ предваряла научно-исследовательская  работа Красилова А. В., в результате которой был обнаружен транзисторный эффект в германиевом кристалле собственного изготовления в конце 1950 г. на микроманипуляторе специально сконструированного для этого. В работе ему помогали два практиканта (фото 3), среди них, надо думать, была Мадоян Сусанна Гукасовна. 

Обнаружен транзисторный эффект в германиевом кристалле собственного изготовления в конце 1950 г.. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 3

Кстати, что касается научных разработок по полупроводниковой тематике, то профессор С. Калашников в ЦНИИ-108 с 1949 г. разрабатывал СВЧ и высоковольтные диоды. Конечно, приоритетом была разработка приборов для радиолокации. Напомню уважаемым читателям, что именно конструкция этих приборов и была взята для создания серийной технологии производства детекторных диодов Пужай А. Н. в ОКБ-498 и высоковольтных диодов в СКБ-245 инженером Александровым В. В. 

В Москве в институте Академии наук СССР им. Лебедева профессор Ржанов А. В. с 1949 г. под руководством академика Вула Б.М. тоже проводили исследования полупроводников, создавали теорию точечного контакта и изучали транзисторный эффект. Результатом стало создание высоковольтных диодов и 50 шт. лабораторных образцов германиевых точечных транзисторов. Из отчёта следует, что лабораторные образцы транзисторов были созданы в 1951 г. Тут же сказано, что были проведены испытания и сравнение параметров с имеющимися у конструкторов транзисторами CK-703 американского производства (фото 4). Дальнейшую судьбу этой разработки мне, к сожалению, отследить не удалось. 

Проведены испытания и сравнение параметров с имеющимися у конструкторов транзисторами CK-703 американского производства. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 4

Примечательно, - из доклада Ржанова А. В. на конференции по германиевым приборам: создаваемые в ФИАН диодные структуры упаковывались в корпуса, производимые для диодов ДГ-В в ОКБ-498 инженером Пужай А. Н. или для Д2 в СКБ-245 инженером Александровым В. В.  Последние профессор Ржанов А. В. назвал «весьма не совершенными» (фото 5).

Как ни парадоксально, но из этих слов следует, что германиевые диоды в СКБ 245  уже были достаточно исследованы и производились серийно. Предназначались они для использования, в том числе, в  отечественной ЭВМ «Стрела». 

Если бы у ФИАН им. Лебедева существовала в то время тесная связь с производственниками и в стране имелся высокоомный германий в больших количествах, думаю, данные работы тоже послужили бы созданию серийной технологии. 

Создаваемые в ФИАН диодные структуры упаковывались в корпуса, производимые для диодов Д2 в СКБ-245 инженером Александровым В. В. Последние профессор Ржанов А. В. назвал весьма не совершенными. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 5

Тут надо пояснить, что степень очистки от примесей играла решающую роль в проводимости слитка германия. Но для создания серийной технологии изготовления полупроводниковых приборов не менее важным было равномерное распределение этой проводимости по объёму слитка.

Все специалисты, изучающие физику полупроводников и точечного контакта к началу 1953 г. сошлись в едином мнении о том, что новая импортная технология создания полупроводниковых приборов с чередующимися слоями разной проводимости, информация о которой попала в нашу страну, обещает быть куда лучше. В связи с этим, действуя в интересах всех ведомств, СМ СССР постановил приступить к разработке полупроводниковых приборов с чередующимися типами проводимости, т. е. плоскостных (фото 6). 

СМ СССР постановил приступить к разработке полупроводниковых приборов с чередующимися типами проводимости, т. е. плоскостных. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 6


Ранее, согласно постановлению Правительства страны, МПСС издаёт указ за номером СС-596 от 8 сентября 1952 г. «О проведении НИР и опытных работ по изготовлению полупроводниковых германиевых приборов» (фото 7). В приказе, в том числе, указана тема «Плоскость». Задачей этой темы становиться НИР по созданию приборов с плоскостными контактами. Были назначены четыре ведущие организации, занимающиеся параллельно наукой по этому вопросу. Перечислю их: ЦНИИ-108 (профессор Калашников С. Г.); ФИАН им. Лебедева (академик Вул Б. М.); ЛФТИ АН СССР (профессор Тучкевич В. М.); НИИ-160 МПСС (канд. тех. наук Красилов А. В.). 

Указ за номером СС-596 от 8 сентября 1952 г. О проведении НИР и опытных работ по изготовлению полупроводниковых германиевых приборов. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 7

А по теме «Точка» поставлена задача создать к концу 1952 г. 20 образцов германиевых точечных транзисторов, ответственный — Красилов А. В. Сроки выполнения несколько раз переносили и эту работу Александр Викторович сдал Государственной комиссии 25 апреля 1953 г. Серийная технология производства была принята в 1954 г. (фото 8). 

Приёмка серийной технологии производства точечных триодов в СКБ-245 состоялась в середине 1952 г. За два следующие года инженерами СКБ-245 и Московского завода Счётно-аналитических машин проводилась интенсивная работа по созданию и отладке узлов и блоков с применением новой элементной базы вообще и транзисторов в частности. 

Серийная технология производства образцов германиевых точечных транзисторов была принята в 1954 г. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 8

Что касается темы «Плоскость»,  в начале 1955 г. выходит ещё один приказ Министерства радиотехнической промышленности за номером СС-97. В нём, помимо всего прочего, чётко указываются исполнители, ответственные за те или иные научные исследования, а именно:

  • исследование электрической прочности электронно-дырочных переходов в германии. Ответственный — академик Вул Б. М., ФИАН СССР;

  • исследование температурных свойств германиевых выпрямителей и усилителей с целью определения возможности увеличения предела рабочих температур. Ответственный — профессор Тучкевич В. И., ЛФТИ;

  • изучение влияния микропримесей в германии на выпрямительные и усилительные свойства контактов и на устойчивость их характеристик. Ответственный — академик Лашкарёв В. Е., АН УССР;

  • исследования диффузии примесей в монокристаллах германия и кремния, в целях установления оптимального технологического режима производства плоскостных полупроводниковых приборов. Ответственный — академик Иоффе А. Ф., институт полупроводников АН СССР;

  • изучение воспроизводимости параметров германиевых и кремниевых выпрямителей и усилителей при их изготовлении. Ответственные — Лашкарёв В. Е. и Александров В. В. (СКБ-245) и Красилов А. В.

Это далеко не полный перечень работ нашего научного сообщества, привлечённого правительством для решения общегосударственных задач полупроводниковой тематики, объединяющий все ведомства в интересах страны.

Технология серийного производства плоскостных транзисторов и диодов, была предъявлена Государственной комиссии двумя организациями: СКБ-245 и НИИ-35, с небольшой разницей во времени и некоторой разницей в предъявленных результатах. Красилов А. В. сдал ОКР  «Плоскость»  Госкомиссии в ноябре 1954 г. Итогом работы стала  разработка конструкции  и создание лабораторной технологии изготовления плоскостных триодов. 

СКБ-245 предъявило комиссии серийную технологию в середине марта месяца 1955 г. изготовив 123 шт. слоистых диодов СД-1 и 40 шт. слоистых транзисторов СТ-1. Разработка темы велась на базе НИР «Плоскость», выполненной ЛФТИ АН СССР, ФИАН СССР, ЦНИИ-108 МО СССР и НИИ-35 МРТП СССР. В работе, в основном, использовался опыт ЛФТИ АН СССР. За основу конструкции диодов и триодов приняты образцы ЛФТИ АН СССР, которые в процессе разработки доведены до промышленных образцов.

Первый серийный транзистор Т-2 (фото 9) конструкции инженера Александрова В. В. из СКБ-245. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 9

Тут будет уместно вспомнить мои прошлые статьи о диодах и точечных транзисторах [1, 2] и неверные предположения о предках триодов С1 и С2 разработки Красилова А. В., выпускавшиеся НИИ-35. Там шла речь о первом серийном транзисторе Т-2 (фото 9) конструкции инженера Александрова В. В. из СКБ-245, кстати, будущего руководителя организации. По мере нахождения новых материалов по теме стало понятно, что конструкторы пошли каждый своим путём. И в случае с плоскостными транзисторами тоже. При этом приборы, созданные в НИИ-35 нам хорошо знакомы, а вот плоскостные транзисторы, созданные в СКБ-245 широкой общественности практически не известны (фото 10). 

Плоскостные транзисторы, созданные в СКБ-245. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 10

По своим электрическим характеристикам транзисторы этих двух организаций не были взаимозаменяемы. СТ-1 могли работать в усилительных режимах, а приборы, созданные в НИИ-35, на то время не могли использоваться в импульсных схемах вычислительных машин. В течение нескольких лет будет решаться эта проблема научными организациями, в том числе и перечисленными выше. Проблема, связанная с эффектом ʺзасыпанияʺ транзисторной структуры после перехода в состояние насыщения. Прибор не сразу воспринимал импульс и не спешил перейти в закрытое состояние, фактически отказывался работать при увеличении тактовой частоты, влияя тем самым на быстродействие аппаратуры в целом.

Экономика и в те времена диктовала свои условия. Отрасль, разрабатывающая и изготавливающая вычислительные машины различного применения, к концу 50-х годов стала крупнейшим потребителем полупроводниковых приборов. Производственные возможности лаборатории 02 в десятом отделе СКБ-245 уже не справлялись с заказами. Приходилось до 60 % полупроводников покупать у НИИ-35. Руководство конструкторского бюро обратилось в своё министерство, оно — в правительство с просьбой о постройке отдельного завода. Правительство приняло совсем другое решение. Всю лабораторию 02 руководимую Масленниковым В. М. передали в 1958 г. (фото 11) в НИИ-35 и уже там, наладив совместную работу всех специалистов, приступили к работам по увеличению объёмов выпуска полупроводников. Разумеется, параллельно расширив производственные мощности опытного завода НИИ-35, будущего «Пульсара».

Всю лабораторию 02 руководимую Масленниковым В. М. передали в 1958 г. в НИИ-35. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 11

Как справлялись с эффектом ʺзасыпанияʺ в покупных транзисторах П6? Жёстким отбором и тренировкой, при этом уходило в брак до 80 % приборов. Это потом, спустя несколько лет, на заводах-производителях стали отбирать группы импульсных транзисторов, маркируя дополнительными точками всех цветов или технологически создавая нужные приборы и ставя букву И в конце маркировки        (фото 12).    В середине 60-х технология производства стала совершенней и проблема с неосновными носителями заряда, виновными в этих явлениях, в основном, была решена.

На заводах-производителях стали отбирать группы импульсных транзисторов, маркируя дополнительными точками всех цветов или технологически создавая нужные приборы и ставя букву И в конце маркировки. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 12

Коротко надо рассказать о первых полупроводниковых триодах и их конструкторах. Триоды Т-2, точечный и СТ-1 плоскостной были созданы в СКБ-245 инженером Александровым В. В., будущим руководителем организации, ставшей с 

1958 г. НИИ электронных математических машин (НИЭМ). Точечные транзисторы, начиная с середины 1951 г. выпускались небольшими партиями по 500…700 шт. в месяц по потребности конструкторов. Плоскостные СТ-1 были приняты Государственной комиссией в марте 1955 г. До конца года для исследования и отработки новых схем выпускалось 1000 шт. в месяц. Впоследствии, появились улучшенные версии обеих вариантов Т-3 и СТ-3. По ним информации найти не удалось.

Точечные С-1 и С-2, прототипом которых послужили CK-703, создал инженер Красилов А. В. в НИИ-35. Он же является главным конструктором плоскостных триодов П1 и П2. Транзисторы С-1 и С-2, которые сначала назывались КС1—КС8, начали производить на опытном заводе НИИ-35 с июня 1954 г. Всего за этот год изготовлено 6000 шт. Плоскостные П1 и П2 выпускались с второго квартала 1955 г. (фото 13). До конца указанного года было выпущено 30000 шт.

Плоскостные транзисторы П1 и П2 выпускались с второго квартала 1955 г.. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 13

Точечные транзисторы С-3 и С-4, производство которых было налажено на заводе 382 («Плутон») изготовляли не долго, - были убыточны. Они представляли собой точные копии  транзисторов С-1 и С-2, но в сварных корпусах улучшенной герметичности.

Точечный импульсный триод для ЭВМ С-5 был создан в 1957 г. в НИИ-311,  но серийно так и не изготавливался. Плоскостные транзисторы победили.

П3 — плоскостной транзистор повышенной мощности - 1 Вт в режиме классе «А» Создан инженером Мадоян С. Г. и с середины 1955 г. выпускался серийно сначала в НИИ-35, затем на «Плутоне». На опытном заводе НИИ-35 к концу года сделано 16 000 шт. (фото 14).

На опытном заводе НИИ-35 к концу года сделано 16 000 шт. транзистора П3. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 14

В результате проведения научно-исследовательской работы по теме «Грот» инженером Самохваловым, и опытно-конструкторской разработки по теме «Риф» им же,  в НИИ-35, появились на свет хорошо известные всем мощные транзисторы П4 (фото 15). Выпуск их начался в 1956 г. и к концу года, было изготовлено 3882 шт. Усовершенствованные образцы этих транзисторов под названием МП4 (фото 16) создали на ʺПлутонеʺ (завод № 382). Конструкторы и производственники этого завода устранили технологическую проблему, дававшую на ВАХ прибора резкие выбросы. В течение очень короткого времени название опять вернули, но транзисторы на всех выпускающих их предприятиях в стране уже не имели вышеуказанной проблемы.

Триоды П5 и П7 по теме ʺРазводьеʺ созданы по мотивам приборов ОС-70, OC-71 и OC-72 соответственно. Работа была завершена в конце 1956 г. Разработчиком также был инженер Самохвалов. К сожалению, имя и отчество в отчётах не указано (фото 17).

Транзисторы П4. Материалы Виртуального Компьютерного Музея. Транзисторы МП4. Материалы Виртуального Компьютерного Музея. Транзисторы П5 и П7. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 15, 16 и 17

Транзисторы П6 стали прорывом в технологии борьбы с ʺзасыпаниемʺ в импульсных устройствах. Из них удавалось отбирать приборы, годные для решения конструкторских задач по исследованию и созданию новых машин в СКБ-245. Разработка темы «Ранет» закончена в 1956 г. Главный конструктор — инженер Петров. Именно эти приборы первыми получили  герметичный корпус изготовленный с применением точечной и кольцевой сварки (фото 18).

Транзисторы П6. Материалы Виртуального Компьютерного Музея. Транзисторы П201. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 18, 19

Транзисторы П8 и П201 — это одно и то же. Они разработаны по теме «Ритм». Мне не удалось найти ни одного раннего прибора хорошо всем известной серии П201—П203 с маркировкой П8. Но первые их выпуски именно так и назывались. Главный конструктор — Мадоян С. Г. Приборы созданы по результатам НИР «Грот». Разработка закончена в сентябре 1957 г. (фото 19).

Транзисторы П8—П11 по теме «Рельс» тоже созданы Мадоян С. Г. в конце 1957 г. Это были первые серийные транзисторы обратной проводимости (фото 20).

Триоды на высокие частоты П12, П406 и П407 по теме ʺПанорамаʺ создавались параллельно двумя организациями (фото 21). Работы были закончены в конце 1957 г. в НИИ-35, под руководством Косогова, а в СКБ завода ʺСветланаʺ — в марте 1958 г.. Прототипами послужили американские приборы 2N112, 2N113 и 2N114, как и написано в отчётах.

Транзисторы П8—П11 по теме Рельс Мадоян С.Г. Материалы Виртуального Компьютерного Музея. Триоды на высокие частоты П12, П406 и П407 по теме Панорама. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 20, 21

Первые кремниевые транзисторы разработки инженера Ф. Щиголь по теме «Газ-II» получили название П101, П102 и П103. Разработка была закончена в 1956 г., но серийное производство началось не сразу, из-за отсутствия кремния нужной чистоты (фото 22). Тут замечу, что и транзистор П301 тоже разрабатывался по этой теме, проводился эксперимент по увеличению допустимой рассеиваемой мощности. В итоге пришлось увеличить площадь кристалла и применить другой корпус. Но это уже другая тема — «Пласт».

Первые кремниевые транзисторы разработки инженера Ф. Щиголь по теме Газ-II получили название П101, П102 и П103. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 22

Транзисторы П207, П208 (фото 23) — замечательного вида триоды! Для рассеивания большой мощности эти приборы получили огромный холодносварной корпус. Здесь нет ошибки, поскольку технология производства первых холодносварных корпусов была разработана именно для этих транзисторов. Чуть позже другие типы транзисторов, как выпускающиеся уже, так и вновь разрабатываемые также перевели в холодносварные корпуса. Конструктором по теме «Путь» был Красилов А. В. Собственно, он же был и конструктором приборов П209—П210.

Транзисторы П207, П208. Материалы Виртуального Компьютерного Музея. Транзисторы П302—П304 по теме Пласт. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 23, 24

Транзисторы П302—П304 по теме «Пласт» (фото 24) — первые кремниевые транзисторы повышенной мощности. Разработаны они в течение 1958 г. По причине отсутствия кремния нужного качества сначала выпускались небольшими партиями, а с середины 1960 г. — серийно (фото 25).

Сначала транзисторы П302—П304 выпускались небольшими партиями, а с середины 1960 г. — серийно. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 25

Транзисторы П401—П403 по теме «Парис». В самом начале разработки название темы было другим — «С-50». Не трудно понять, для использования в какой аппаратуре изначально разрабатывались эти диффузионные высокочастотные приборы (фото 26).

Транзисторы П401—П403 по теме Парис. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 26

На этом краткий обзор по создателям точечных и плоскостных транзисторов в нашей стране подходит к своему завершению. Много приборов было разработано в 1959 и последующих годах. Разработкой серийного производства стали заниматься в ОКБ вновь созданных и уже действующих заводов полупроводниковых приборов. С НИИ-35, в основном, сняли задачи опытного производства, поскольку сразу после завершения научно-исследовательской работы они передавали темы предприятиям.

На протяжении всех моих ʺполупроводниковыхʺ поисков не давала покоя одна навязчивая мысль. Начиная с 1954 г. в течение несколько лет диоды Д-1 делали в ОКБ-498. В это время, уже практически целый год, лаборатория полупроводников ОКБ-498 в полном составе трудилась в НИИ-35, куда была переведена в середине 1953 года. Кто тогда создавал конструкцию диода Д-1 на заводе без лаборатории?  

Уже под самое завершение выше написанного, совершенно случайно, в документах, не имеющих отношения к теме, я прочитал следующую фразу (фото 27): Получается, что конструктором диодов типа Д-1 был сотрудник Томилинского электровакуумного завода.

Транзисторы. Материалы Виртуального Компьютерного Музея.

Фото 27

Придётся продолжать поиски в заданном направлении!

Литература

  1. Чечнев А. Из истории радиоэлектроники. По следу диодов Д1 и Д2, или … совершенно секретно—2. — Радио, 2020, № 4, с. 9—14.

  2. Чечнев А. Из истории радиоэлектроники. От диодов — к транзистору. — Радио, 2020, № 5, с. 12—17.

Об авторе: пос. Володарского Московской обл.
Статья публиковалась в журнале «Радио»
Помещена в музей с разрешения автора 6 февраля 2021