90 лет со дня рождения Жореса Ивановича Алфёрова

90 лет со дня рождения Жореса Ивановича Алфёрова

Николай Петрович Брусенцов

В марте 2020 года исполняется 90 лет со дня рождения Жореса Ивановича Алфёрова (1930 – 2019) – советского и российского учёного, доктора физико-математических наук (1970), профессора (1972), академика АН СССР (1979) и РАН (1991), вице-президента РАН (1991), Лауреата Нобелевской премии по физике (2000), Ленинской премии (1972), Государственных премий СССР (1984) и Российской Федерации (2001).

Жорес Иванович родился 15 марта 1930 года в городе Витебске (Белорусская ССР) в семье служащих. После окончания войны семья переехала в Минск. Там Жорес окончил среднюю школу №42 с золотой медалью и затем несколько семестров отучился в Белорусском политехническом институте на энергетическом факультете, но перевелся оттуда в Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В. И. Ульянова. В 1952 году с отличием окончил его по специальности "Электровакуумная техника".

Николай Петрович Брусенцов

С 1953 года работал в Ленинградском физико-техническом институте (ЛФТИ, ныне – Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН). После окончания вуза был зачислен младшим научным сотрудником. С 1965 года – старший научный сотрудник, с 1972 года – профессор ЛЭТИ. В 1973 – 2003 годах был заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ при ЛФТИ. В 1987 – 2003 годах – директор ФТИ, в 2003 – 2006 годах – научный руководитель института.

Основные направления научной деятельности – физика полупроводников и полупроводниковая электроника. В ЛФТИ работал сначала под руководством Владимира Тучкевича, участвовал в создании первых советских транзисторов и германиевых приборов.

В 1960-х годах занялся изучением полупроводниковых гетеростуктур, необходимых для создания диодных лазеров, светодиодов и солнечных батарей. Свой первый патент в области гетеропереходов Алфёров получил в марте 1963 года. Гетеропереходы он исследовал вместе с Рудольфом Казариновым. Учёные добились того, что заработал полупроводниковый лазер, который теперь широко применяется в оптико-волоконной связи. Считается, что благодаря Жоресу Алферову технологический уровень СССР сравнялся в этой области с американским.

В 2000 году Жоресу Ивановичу была присуждена Нобелевская премия в области физики за открытие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники. Алферов разделил эту премию с двумя другими учеными – немцем Кремером и американцем Килби. С начала 1990-х годов Алфёров занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

Жорес Иванович родился 15 марта 1930 года в городе Витебске (Белорусская ССР) в семье служащих. После окончания войны семья переехала в Минск. Там Жорес окончил среднюю школу №42 с золотой медалью и затем несколько семестров отучился в Белорусском политехническом институте на энергетическом факультете, но перевелся оттуда в Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В. И. Ульянова. В 1952 году с отличием окончил его по специальности "Электровакуумная техника".

С 1953 года работал в Ленинградском физико-техническом институте (ЛФТИ, ныне – Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН). После окончания вуза был зачислен младшим научным сотрудником. С 1965 года – старший научный сотрудник, с 1972 года – профессор ЛЭТИ. В 1973 – 2003 годах был заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ при ЛФТИ. В 1987 – 2003 годах – директор ФТИ, в 2003 – 2006 годах – научный руководитель института.

Основные направления научной деятельности – физика полупроводников и полупроводниковая электроника. В ЛФТИ работал сначала под руководством Владимира Тучкевича, участвовал в создании первых советских транзисторов и германиевых приборов.

В 1960-х годах занялся изучением полупроводниковых гетеростуктур, необходимых для создания диодных лазеров, светодиодов и солнечных батарей. Свой первый патент в области гетеропереходов Алфёров получил в марте 1963 года. Гетеропереходы он исследовал вместе с Рудольфом Казариновым. Учёные добились того, что заработал полупроводниковый лазер, который теперь широко применяется в оптико-волоконной связи. Считается, что благодаря Жоресу Алферову технологический уровень СССР сравнялся в этой области с американским.

В 2000 году Жоресу Ивановичу была присуждена Нобелевская премия в области физики за открытие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники. Алферов разделил эту премию с двумя другими учеными – немцем Кремером и американцем Килби. С начала 1990-х годов Алфёров занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

Об авторе: Ведущий раздел "Связь" компьютерного музея
Статья публиковалась в еженедельнике «IT News» 15.03.2020
Помещена в музей с разрешения публикуется с разрешения редакции 24 Марта 2020