RAPID
(retention-aware placement in DRAM)
- реализация динамических ОЗУ с учётом времени сохранения данных в ячейках памяти, программная методология RAPID
#
позволяет значительно увеличить период времени регенерации содержимого ячеек и страниц динамического ОЗУ и благодаря этому резко снизить энергопотребление (с экономией до 95%), т. е. создать квази-энергонезависимое ОЗУ для применения в мобильных устройствах с батарейным питанием.
Связные термины
quasi non-volatile, retention
