FeRAM
(также FRAM, F-RAM)
- Ferroelectronic (Ferroelectric) RAM – сегнетоэлектрическое (ферроэлектрическое) ОЗУ
#
тип энергонезависимой полупроводниковой памяти, разработанный корпорацией NEC. Принцип работы ячейки FeRAM основан на том, что внешнее электрическое поле переводит атом сегнетоэлектрического кристалла в одно из двух стабильных состояний. Не требует специального (повышенного) стирающего напряжения, но количество циклов стирания лимитировано. Может хранить данные без подачи напряжения до десяти лет.
Связные термины
ferromagnetic, nonvolatile memory, RAM
